LTC4358
典型性能特性
V
DD
电流（I
DD
VS V
DD
)
500
V
IN
= V
OUT
= V
DD
400
300
I
OUT
(μA)
400
电流（I
IN
VS V
IN
)
100
V
IN
= V
OUT
= V
DD
80
输出电流（I
OUT
VS V
OUT
)
V
IN
= V
OUT
= V
DD
I
DD
(μA)
I
IN
(μA)
300
60
200
200
100
100
40
20
0
0
0
10
V
DD
(V)
4358 G01
20
30
0
10
V
IN
(V)
20
30
4358 G02
0
0
10
V
OUT
(V)
20
30
4358 G03
MOSFET
DS （ ON）
与温度
30
I
IN
= 5A
25
V
OUT
= V
DD
= 9V
R
DS （ ON）
(mΩ)
20
15
V
OUT
= V
DD
= 26.5V
10
100
5
0
-50
0
t
PD
（纳秒）
300
400
FET关断时间
VS初始高速
2000
FET关断时间
VS决赛高速
V
IN
= 12V
V
SD
= 55mV
1500
V
最终科幻
t
PD
（纳秒）
-1V
200
V
IN
= 12V
V
SD
= V
初始
1000
500
-25
0
25
50
75
100
125
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
4358 G05
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
4358 G06
温度（℃）
4358 G04
V
初始
(V)
V
最终科幻
(V)
4358fa
4
