位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1264页 > ATSAM3U1CA-AU > ATSAM3U1CA-AU PDF资料 > ATSAM3U1CA-AU PDF资料1第34页
一种通用的NVM（ GPNVM1 ）位用于引导或者对ROM （默认值）或从
闪光灯。
该GPNVM位的清除和设置分别通过命令“清除通用，陈建
造成NVM位“和”设置通用NVM位“ EEFC用户界面。
设置GPNVM位1选择从闪存启动，清除它选择从启动
只读存储器。拉高ERASE将清除GPNVM位1 ，因此通过选择从ROM中的引导
默认情况下。
GPNVM2使得能够选择是否闪光0或Flash 1用于引导。设置GPNVM2位
选择从Flash 1引导，清除它选择从闪存0引导。
9.2
外部存储器
该SAM3U提供了一个接口，广泛的外部存储器和任何并行
外设。
9.2.1
静态存储控制器
8位或16位数据总线
高达24位地址总线（每个芯片最多可以选择16兆字节的线性）
多达4个芯片选择，可配置的分配
支持多种接入方式
- 字节写或字节选择线
多设备的适应性
- 控制信号可编程设置，脉冲和保持时间每个记忆库
多等待状态管理
- 可编程等待状态产生
- 外部等待请求
- 可编程数据时差
慢时钟模式支持
9.2.2
NAND FL灰控制器
处理通过4224字节的SRAM缓存自动读取/写入传输
DMA支持
支持SLC NAND闪存技术
在每个片选的基础可编程时序
可编程闪存数据宽度8位或16位
9.2.3
NAND闪存的错误修正码器
在NAND闪存控制器集成
单比特纠错和2位随机检测。
在写入自动海明码计算
- ECC值寄存器可用
自动汉明码计算而读
- 错误报告，其中包括错误标志，可纠正错误标志和字地址为
检测到错误
34
SAM3U系列
6430CS–ATARM–09-Apr-10
