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SAM3U系列
9.记忆
嵌入和多个外部存储器进行说明。
9.1
9.1.1
嵌入式存储器
内部SRAM
该SAM3U4 （ 256千字节的内部Flash版本）共48字节的高速嵌入
SRAM （ 32字节SRAM0和16 KB的SRAM1 ） 。
该SAM3U2 （ 128千字节的内部Flash版本）共32字节的高速嵌入
SRAM （ 16字节SRAM0和16 KB的SRAM1 ） 。
该SAM3U1 （ 64千字节的内部Flash版本）共16个字节的高速SRAM嵌入
（ 8字节SRAM0和8 KB的SRAM1 ） 。
该SRAM0超过系统的Cortex -M3总线进行访问，在地址0x2000 0000和SRAM1在
地址0x2008 0000的用户可以看到的SRAM作为连续的。
该SRAM0和SRAM1是位带区。该位带别名区为0x2200
0000 0x23FF FFFF 。
在NAND Flash控制器嵌入4224个字节内部SRAM 。如果NAND快闪存储器控制器
不使用时，这些4224千字节的SRAM可以用作一般用途的。可以看出，在
地址0x2010 0000 。
9.1.2
内部ROM
该SAM3U产品嵌入了一个内部ROM ，其中包含SAM -BA引导和FFPI
程序。
在任何时候，ROM被映射到地址0x0018处0000 。
9.1.3
9.1.3.1
嵌入式闪存
闪存总览
该SAM3U4的闪存（ 256千字节的内部Flash版本）组织512两家银行
256字节的页（双平面）。
该SAM3U2的闪存（ 128 KB的内部Flash版本）组织512一家银行
256字节的页（单平面）。
的闪存是SAM3U1 （ 256千字节的内部Flash版本）举办的256一家银行
256字节的页（单平面）。
Flash包含了一个128字节的写缓冲区，通过32位接口访问。
9.1.3.2
闪存电源
闪存是由VDDCORE供电。
增强的内置Flash控制器
增强型内置Flash控制器（ EEFC ）管理访问由中，主机执行
该系统的字符。这使得能够读取闪存和写入的写入缓冲器。它还包含一个
用户接口，映射到APB的存储器控制器内。
增强型内置Flash控制器可确保Flash模块与32接口
位内部总线。它的128位宽度的存储器接口提高性能。
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9.1.3.3
6430CS–ATARM–09-Apr-10
