SST/U5196NL
系列
新产品
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
5
V
GS （ OFF ）
= -2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
（毫伏）
V
DS
= 20 V
100
V
DG
= 20 V
T
A
= 25_C
Vishay Siliconix公司
栅极 - 源差分电压
与漏电流
3
T
A
= -55_C
V
GS1
- V
GS2
SST/U5199
10
U5196
25_C
2
1
125_C
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
-2.5
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
差分电压与温度
与漏电流
100
V
DG
= 20 V
DT
A
= 25 125 ℃下
DT
A
= -55 25_C
130
共模抑制比
与漏电流
DV
DG
D
V
GS1
- V
GS2
(
m
V/
_C
)
CMRR = 20日志
120
共模抑制比（分贝）
SST/U5199
10
110
DV
DG
= 10 - 20 V
100
5 - 10 V
90
V
GS1
- V
GS2
D
t
U5196
D
1
0.01
80
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
电路的电压增益与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
100
1k
导通电阻与漏电流
80
A
V
- 电压增益
800
60
V
GS （ OFF ）
= -3 V
V
GS （ OFF ）
= -2 V
40
A
V
+
g
fs
R
L
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
0
0.01
10 V
I
D
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
600
V
GS （ OFF ）
= -2 V
400
V
GS （ OFF ）
= -3 V
20
200
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
www.vishay.com
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