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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第15页 > U5196NL
SST/U5196NL
系列
新产品
Vishay Siliconix公司
单片N沟道JFET偶
SST5198NL
SST5199NL
产品概述
产品型号
U5196NL
U5197NL
SST/U5198NL
SST/U5199NL
U5196NL
U5197NL
U5198NL
U5199NL
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.7 -4
-0.7 -4
-0.7 -4
-0.7 -4
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
-50
-50
-50
-50
g
fs
MIN（ ms）的
1
1
1
1
I
G
马克斯（PA ）
-15
-15
-15
-15
jV
GS1
- V
GS2
j
MAX（毫伏）
5
5
10
15
特点
D
D
D
D
D
D
D
抗闭锁能力
整体设计
高转换率
低失调/漂移电压
低栅极漏电流： 5 pA的
低噪音
高CMRR ： 100分贝
好处
D
D
D
D
D
D
D
外部基板偏压，避免闭锁
紧差分匹配与电流
提高运算放大器的速度，稳定时间精度
最小输入错误/修正要求
微不足道的信号丢失/错误电压
高灵敏度系统
大输入信号的最小误差
应用
D
宽带差分放大器
D
高速，温度补偿的，
单端输入放大器
D
高速比较器
D
阻抗转换器
描述
在SST / U5196NL系列JFET偶是专为
高性能的差分放大对范围广泛的
精密测试仪器仪表应用。本系列
特点紧密匹配的规格，精度低栅极漏电流，
和宽的动态范围与我
G
保证在V
DG
= 20 V.
引脚4和SST系列8引脚4上的U系列的一部分
号使连接到一个正的衬底，
外部偏压（V
DD
），以避免闭锁。
窄体SOIC
S
1
D
1
G
1
基板
1
2
3
4
8
7
6
5
基板
G
2
D
2
S
2
D
1
2
3
顶视图
标记代码：
SST5198NL - 5198NL
SST5199NL - 5199NL
CASE ，底
顶视图
U5196NL ， U5198NL
U5197NL ， U5199NL
G
1
4
5
S
2
6
D
2
S
1
1
7
G
2
在U系列在密封的TO- 78封装
可提供完整的军事处理。在SST系列SO- 8
包提供了易于制造和对称的
引出线防止不适当的方向。采用SO-8封装
可与兼容磁带和卷轴选项
自动装配方法。
对于同类产品看，低噪音SST / U401NL系列
与低漏电U421NL / 423NL数据表。
TO-78
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
功耗：
每面
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
总
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2毫瓦/ _C以上85_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上85_C
www.vishay.com
7-1
SST/U5196NL
系列
Vishay Siliconix公司
新产品
规格FOR U5196NL和U5197NL （T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
U5196NL
U5197NL
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
符号
测试条件
I
G
= -1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 20 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
T
A
= 125_C
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS
-57
-2
3
-10
-20
-5
- 0.8
-50
-0.7
0.7
-4
-50
-0.7
0.7
-4
V
mA
pA
nA
pA
nA
V
7
-25
-50
-15
-15
7
-25
-50
-15
-15
门工作电流
栅源电压
-1.5
-0.2
-3.8
-0.2
-3.8
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
噪声系数
g
fs
g
os
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
NF
3.0
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
8
0.8
1
3
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1
11
0.7
1
4
50
1.6
4
6
2
20
0.5
0.7
1
4
50
1.6
4
6
pF
2
20
0.5
nV/
√Hz的
dB
mS
mS
mS
mS
V
DS
= 20 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹，R
G
= 10毫瓦
匹配
差分栅源电压
栅源电压差分
随温度的变化
|V
GS1
–V
GS2
|
D
|V
GS1
–V
GS2
|
DT
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
|g
os1
–g
os2
|
|I
G1
*
I
G2
|
CMRR
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
, T
A
= 125_C
V
DG
= 10 20V时，我
D
= 200
mA
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
T
A
= -55到125°C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
0.98
0.95
5
5
5
10
mV
毫伏/°C的
饱和漏极电流比
1
0.95
1
跨比
0.99
V
DS
= 20 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
0.1
0.97
1
0.97
1
mS
差分输出电导
1
1
差动电流门
共模抑制比
0.1
100
5
5
nA
dB
www.vishay.com
7-2
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
SST/U5196NL
系列
新产品
规格FOR SST / U5198NL和SST / U5199NL
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
SST/U5198NL
SST/U5199NL
Vishay Siliconix公司
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
符号
测试条件
I
G
= -1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 20 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
T
A
=125_C
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS
-57
-2
3
-10
-20
-5
- 0.8
-50
-0.7
0.7
-4
-50
-0.7
0.7
-4
V
mA
pA
nA
pA
nA
V
7
-25
-50
-15
-15
7
-25
-50
-15
-15
门工作电流
栅源电压
-1.5
-0.2
-3.8
-0.2
-3.8
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
噪声系数
g
fs
V
DS
= 20 V V
GS
= 0 V F = 1千赫
V,
V,
g
os
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
NF
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
8
0.8
1
3
1
11
0.5
0.7
50
1.6
4
6
2
0.7
50
1.6
4
6
2
pF
nV/
√Hz的
dB
3.0
1
4
1
4
mS
mS
mS
mS
V
DS
= 20 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹，R
G
= 10兆瓦（U专用）
匹配
差分栅源电压
|V
GS1
–V
GS2
|
D
|V
GS1
–V
GS2
|
V
DT
D
|V
饱和漏极电流比
V
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
|g
os1
–g
os2
|
g
|I
G1
*
I
G2
|
CMRR
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
毫安，
T
A
= 125_C
|
V
DS
= 20 V V
GS
= 0 V
V,
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
SST5198NL
门源V LT
克叔S
电压差动
差异
TI升
随温度的变化
V
DG
= 20 V I
D
= 200
mA
V,
A
T
A
= -55到125°C
SST5199NL
只有ü
SST只有
只有ü
SST只有
V
DS
= 20 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
只有ü
SST只有
只有ü
SST只有
只有ü
97
0.1
5
5
nA
dB
NQP
0.2
1
1
0.97
0.95
1
0.95
1
0.97
0.95
1
0.95
1
mS
15
30
20
40
m
毫伏/°C的
10
15
mV
跨比
差分输出电导
差动电流门
共模抑制比
V
DG
= 10 20V时，我
D
= 200
mA
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
www.vishay.com
7-3
SST/U5196NL
系列
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
5
3
g
fs
- 正向跨导（MS ）
100 nA的
I
G
@ I
D
= 200
mA
10 nA的
T
A
= 125_C
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
I
GSS
@ 125_C
100 pA的
200
mA
50
mA
50
mA
栅极漏电流
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
4
g
fs
3
I
DSS
2.6
2.2
2
1.8
10 pA的
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
1
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1.4
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
1
0.1帕
0
10
20
30
40
50
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压（ V）
输出特性
5
V
GS （ OFF ）
= -2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
4
5
输出特性
V
GS （ OFF ）
= -3 V
V
GS
= 0 V
-0.3 V
-0.6 V
3
-0.9 V
2
-1.2 V
-1.5 V
1
-1.8 V
-2.1 V
0
20
0
4
8
12
-2.4 V
16
3
V
GS
= 0 V
-0.2 V
2
-0.4 V
-0.6 V
1
-0.8 V
-1.0 V
-1.2 V
0
0
4
8
12
-1.4 V
16
20
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
2
V
GS （ OFF ）
= -2 V
1.6
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
-0.2 V
-0.4 V
1.2
-0.6 V
-0.8 V
0.8
-1.0 V
0.4
-1.2 V
-1.4 V
0
0
0.2
0.4
0.6
-1.6 V
0.8
0
1
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
2.0
2.5
输出特性
V
GS （ OFF ）
= -3 V
V
GS
= 0 V
-0.3 V
-0.6 V
-0.9 V
1.5
-1.2 V
1.0
-1.5 V
-1.8 V
0.5
-2.1 V
-2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
www.vishay.com
7-4
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
SST/U5196NL
系列
新产品
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
5
V
GS （ OFF ）
= -2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
（毫伏）
V
DS
= 20 V
100
V
DG
= 20 V
T
A
= 25_C
Vishay Siliconix公司
栅极 - 源差分电压
与漏电流
3
T
A
= -55_C
V
GS1
- V
GS2
SST/U5199
10
U5196
25_C
2
1
125_C
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
-2.5
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
差分电压与温度
与漏电流
100
V
DG
= 20 V
DT
A
= 25 125 ℃下
DT
A
= -55 25_C
130
共模抑制比
与漏电流
DV
DG
D
V
GS1
- V
GS2
(
m
V/
_C
)
CMRR = 20日志
120
共模抑制比（分贝）
SST/U5199
10
110
DV
DG
= 10 - 20 V
100
5 - 10 V
90
V
GS1
- V
GS2
D
t
U5196
D
1
0.01
80
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
电路的电压增益与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
100
1k
导通电阻与漏电流
80
A
V
- 电压增益
800
60
V
GS （ OFF ）
= -3 V
V
GS （ OFF ）
= -2 V
40
A
V
+
g
fs
R
L
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
0
0.01
10 V
I
D
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
600
V
GS （ OFF ）
= -2 V
400
V
GS （ OFF ）
= -3 V
20
200
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
www.vishay.com
7-5
SST/U5196NL
系列
新产品
Vishay Siliconix公司
单片N沟道JFET偶
SST5198NL
SST5199NL
产品概述
产品型号
U5196NL
U5197NL
SST/U5198NL
SST/U5199NL
U5196NL
U5197NL
U5198NL
U5199NL
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.7 -4
-0.7 -4
-0.7 -4
-0.7 -4
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
-50
-50
-50
-50
g
fs
MIN（ ms）的
1
1
1
1
I
G
马克斯（PA ）
-15
-15
-15
-15
jV
GS1
- V
GS2
j
MAX（毫伏）
5
5
10
15
特点
D
D
D
D
D
D
D
抗闭锁能力
整体设计
高转换率
低失调/漂移电压
低栅极漏电流： 5 pA的
低噪音
高CMRR ： 100分贝
好处
D
D
D
D
D
D
D
外部基板偏压，避免闭锁
紧差分匹配与电流
提高运算放大器的速度，稳定时间精度
最小输入错误/修正要求
微不足道的信号丢失/错误电压
高灵敏度系统
大输入信号的最小误差
应用
D
宽带差分放大器
D
高速，温度补偿的，
单端输入放大器
D
高速比较器
D
阻抗转换器
描述
在SST / U5196NL系列JFET偶是专为
高性能的差分放大对范围广泛的
精密测试仪器仪表应用。本系列
特点紧密匹配的规格，精度低栅极漏电流，
和宽的动态范围与我
G
保证在V
DG
= 20 V.
引脚4和SST系列8引脚4上的U系列的一部分
号使连接到一个正的衬底，
外部偏压（V
DD
），以避免闭锁。
窄体SOIC
S
1
D
1
G
1
基板
1
2
3
4
8
7
6
5
基板
G
2
D
2
S
2
D
1
2
3
顶视图
标记代码：
SST5198NL - 5198NL
SST5199NL - 5199NL
CASE ，底
顶视图
U5196NL ， U5198NL
U5197NL ， U5199NL
G
1
4
5
S
2
6
D
2
S
1
1
7
G
2
在U系列在密封的TO- 78封装
可提供完整的军事处理。在SST系列SO- 8
包提供了易于制造和对称的
引出线防止不适当的方向。采用SO-8封装
可与兼容磁带和卷轴选项
自动装配方法。
对于同类产品看，低噪音SST / U401NL系列
与低漏电U421NL / 423NL数据表。
TO-78
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
功耗：
每面
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
总
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2毫瓦/ _C以上85_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上85_C
www.vishay.com
7-1
SST/U5196NL
系列
Vishay Siliconix公司
新产品
规格FOR U5196NL和U5197NL （T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
U5196NL
U5197NL
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
符号
测试条件
I
G
= -1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 20 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
T
A
= 125_C
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS
-57
-2
3
-10
-20
-5
- 0.8
-50
-0.7
0.7
-4
-50
-0.7
0.7
-4
V
mA
pA
nA
pA
nA
V
7
-25
-50
-15
-15
7
-25
-50
-15
-15
门工作电流
栅源电压
-1.5
-0.2
-3.8
-0.2
-3.8
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
噪声系数
g
fs
g
os
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
NF
3.0
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
8
0.8
1
3
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1
11
0.7
1
4
50
1.6
4
6
2
20
0.5
0.7
1
4
50
1.6
4
6
pF
2
20
0.5
nV/
√Hz的
dB
mS
mS
mS
mS
V
DS
= 20 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹，R
G
= 10毫瓦
匹配
差分栅源电压
栅源电压差分
随温度的变化
|V
GS1
–V
GS2
|
D
|V
GS1
–V
GS2
|
DT
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
|g
os1
–g
os2
|
|I
G1
*
I
G2
|
CMRR
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
, T
A
= 125_C
V
DG
= 10 20V时，我
D
= 200
mA
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
T
A
= -55到125°C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
0.98
0.95
5
5
5
10
mV
毫伏/°C的
饱和漏极电流比
1
0.95
1
跨比
0.99
V
DS
= 20 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
0.1
0.97
1
0.97
1
mS
差分输出电导
1
1
差动电流门
共模抑制比
0.1
100
5
5
nA
dB
www.vishay.com
7-2
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
SST/U5196NL
系列
新产品
规格FOR SST / U5198NL和SST / U5199NL
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
SST/U5198NL
SST/U5199NL
Vishay Siliconix公司
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
符号
测试条件
I
G
= -1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 20 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
T
A
=125_C
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS
-57
-2
3
-10
-20
-5
- 0.8
-50
-0.7
0.7
-4
-50
-0.7
0.7
-4
V
mA
pA
nA
pA
nA
V
7
-25
-50
-15
-15
7
-25
-50
-15
-15
门工作电流
栅源电压
-1.5
-0.2
-3.8
-0.2
-3.8
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
噪声系数
g
fs
V
DS
= 20 V V
GS
= 0 V F = 1千赫
V,
V,
g
os
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
NF
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
8
0.8
1
3
1
11
0.5
0.7
50
1.6
4
6
2
0.7
50
1.6
4
6
2
pF
nV/
√Hz的
dB
3.0
1
4
1
4
mS
mS
mS
mS
V
DS
= 20 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹，R
G
= 10兆瓦（U专用）
匹配
差分栅源电压
|V
GS1
–V
GS2
|
D
|V
GS1
–V
GS2
|
V
DT
D
|V
饱和漏极电流比
V
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
|g
os1
–g
os2
|
g
|I
G1
*
I
G2
|
CMRR
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
毫安，
T
A
= 125_C
|
V
DS
= 20 V V
GS
= 0 V
V,
V
DG
= 20 V，I
D
= 200
mA
SST5198NL
门源V LT
克叔S
电压差动
差异
TI升
随温度的变化
V
DG
= 20 V I
D
= 200
mA
V,
A
T
A
= -55到125°C
SST5199NL
只有ü
SST只有
只有ü
SST只有
V
DS
= 20 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
只有ü
SST只有
只有ü
SST只有
只有ü
97
0.1
5
5
nA
dB
NQP
0.2
1
1
0.97
0.95
1
0.95
1
0.97
0.95
1
0.95
1
mS
15
30
20
40
m
毫伏/°C的
10
15
mV
跨比
差分输出电导
差动电流门
共模抑制比
V
DG
= 10 20V时，我
D
= 200
mA
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
www.vishay.com
7-3
SST/U5196NL
系列
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
5
3
g
fs
- 正向跨导（MS ）
100 nA的
I
G
@ I
D
= 200
mA
10 nA的
T
A
= 125_C
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
I
GSS
@ 125_C
100 pA的
200
mA
50
mA
50
mA
栅极漏电流
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
4
g
fs
3
I
DSS
2.6
2.2
2
1.8
10 pA的
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
1
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1.4
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
1
0.1帕
0
10
20
30
40
50
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压（ V）
输出特性
5
V
GS （ OFF ）
= -2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
4
5
输出特性
V
GS （ OFF ）
= -3 V
V
GS
= 0 V
-0.3 V
-0.6 V
3
-0.9 V
2
-1.2 V
-1.5 V
1
-1.8 V
-2.1 V
0
20
0
4
8
12
-2.4 V
16
3
V
GS
= 0 V
-0.2 V
2
-0.4 V
-0.6 V
1
-0.8 V
-1.0 V
-1.2 V
0
0
4
8
12
-1.4 V
16
20
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
2
V
GS （ OFF ）
= -2 V
1.6
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
-0.2 V
-0.4 V
1.2
-0.6 V
-0.8 V
0.8
-1.0 V
0.4
-1.2 V
-1.4 V
0
0
0.2
0.4
0.6
-1.6 V
0.8
0
1
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
2.0
2.5
输出特性
V
GS （ OFF ）
= -3 V
V
GS
= 0 V
-0.3 V
-0.6 V
-0.9 V
1.5
-1.2 V
1.0
-1.5 V
-1.8 V
0.5
-2.1 V
-2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
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7-4
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
SST/U5196NL
系列
新产品
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
5
V
GS （ OFF ）
= -2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
（毫伏）
V
DS
= 20 V
100
V
DG
= 20 V
T
A
= 25_C
Vishay Siliconix公司
栅极 - 源差分电压
与漏电流
3
T
A
= -55_C
V
GS1
- V
GS2
SST/U5199
10
U5196
25_C
2
1
125_C
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
-2.5
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
差分电压与温度
与漏电流
100
V
DG
= 20 V
DT
A
= 25 125 ℃下
DT
A
= -55 25_C
130
共模抑制比
与漏电流
DV
DG
D
V
GS1
- V
GS2
(
m
V/
_C
)
CMRR = 20日志
120
共模抑制比（分贝）
SST/U5199
10
110
DV
DG
= 10 - 20 V
100
5 - 10 V
90
V
GS1
- V
GS2
D
t
U5196
D
1
0.01
80
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
电路的电压增益与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
100
1k
导通电阻与漏电流
80
A
V
- 电压增益
800
60
V
GS （ OFF ）
= -3 V
V
GS （ OFF ）
= -2 V
40
A
V
+
g
fs
R
L
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
0
0.01
10 V
I
D
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
600
V
GS （ OFF ）
= -2 V
400
V
GS （ OFF ）
= -3 V
20
200
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
文档编号： 72156
S- 03468 -REV 。 B， 11 -MAR -03
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UC1625N
UPSD3312DV-40U6
UPSD3333AV-24T1T
UPD70208L-8
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UVX1H4R7MDA
UF4004G
UWZ1H220MCL
UPD703033AYGC
UPD70216HLP-16
UPC1853
URZ1E330MHD
UPD44325364F5-E33-EQ2
UPD70F3217HYGJ-UEN
UB15NKG015C
UPD43256BGW-85LL-9KL-A
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    U5196NL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
U5196NL
Vishay
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联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址：福田区振华路华乐楼615室
U5196NL
Vishay
12+
84980
TO-78
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U5196NL
VISHAY
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U5196NL
VISHAY【原装正品专卖★特价中】
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UNICHIP
21+
3050
QFP
原新原装正品.量大可订货！
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联系人：朱先生/王小姐
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VISHAY
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