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1240pin
DDR2 SDRAM非缓冲DIMM
参数
从CK / CK DQ输出访问时间
从CK / CK DQS输出访问时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
时钟周期，CL = X
DQ和DM输入建立时间
（差分DQS ）
符号
TAC
tDQSCK
总胆固醇
TCL
THP
TCK
TDS
TDH
tIPW
tDIPW
太赫兹
TLZ （ DQS ）
TLZ （DQ）
TDQSQ
TQHS
tQH
tDQSS
tDQSH
tDQSL
TDSS
tDSH
超过tMRD
tWPRE
tWPST
TIS
TIH
tRPRE
tRPST
tRFC
DDR2-667
民
-450
-400
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
3000
100
175
0.6
0.35
-
TAC分钟
2 * TAC分钟
-
-
THP - TQHS
- 0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.35
0.4
200
275
0.9
0.4
127.5
7.5
10
37.5
50
DDR2-800
民
-400
-350
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
2500
50
125
0.6
0.35
-
TAC分钟
2 * TAC分钟
-
-
THP - TQHS
- 0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.35
0.4
175
250
0.9
0.4
127.5
7.5
10
35
45
-
-
-
-
TAC最大
TAC最大
TAC最大
200
300
-
+ 0.25
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
1.1
0.6
-
-
-
-
-
最大
+450
+400
0.55
0.55
-
8000
-
-
-
-
TAC最大
TAC最大
TAC最大
240
340
-
+ 0.25
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
1.1
0.6
-
-
-
-
-
最大
+400
+350
0.55
0.55
-
单位注
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ps
ps
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
DQ和DM输入保持时间
（差分DQS ）
控制&地址输入脉冲宽度为每个
输入
DQ和DM输入脉冲宽度为每个输入
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
从CK / CK DQS低阻抗时间
从CK / CK DQ低阻抗时间
DQS -DQ歪斜的DQS和DQ相关
信号的
DQ举行倾斜因子
从DQS DQ / DQS输出保持时间
第一DQS闭锁过渡到相关的时钟
EDGE
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
模式寄存器设置命令周期时间
写序言
写后同步
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
阅读序言
阅读后同步
自动刷新主动/自动刷新命令期
积极为1KB页面激活命令时期
产品尺寸
积极为2KB页激活命令时期
产品尺寸
四个活动窗口为1KB的页面尺寸产品
四个活动窗口为2KB页大小的产品
TRRD
TRRD
tFAW
tFAW
修订版0.3 / 2008年11月
22
