位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第435页 > HMP112U6EFR8C-S5 > HMP112U6EFR8C-S5 PDF资料 > HMP112U6EFR8C-S5 PDF资料1第1页
240PIN DDR2 SDRAM非缓冲DIMM基于1Gb的E版
这海力士无缓冲双列直插内存模块（DIMM ）系列包括1Gb的版本 DDR2
SDRAM芯片中的精细球栅阵列（ FBGA ）上的240PIN玻璃环氧基板封装。这海力士1Gb的
版基于DDR2无缓冲DIMM系列提供133.35毫米高性能的8字节接口
行业标准宽度的外形。它适合于方便的交换和加法。
特点
JEDEC标准的双倍数据率2同步
chrnous的DRAM （ DDR2 SDRAM芯片）与+ 1.8V /
- 0.1V电源
所有输入和输出都兼容
SSTL_1.8接口
8银行架构
中科院发布
可编程CAS延时3,4,5 ， 6
OCD （片外驱动器阻抗调整）
ODT （片上终端）
全差分时钟的操作（ CK & CK ）
可编程的突发长度4月8日与两个
顺序和交错模式
自动刷新和自刷新支持
8192刷新周期/ 64ms的
串行存在检测与EEPROM
DDR2 SDRAM包装： 60ball
FBGA(128Mx8),
84ball FBGA （ 64Mx16 ）
133.35 X 30.00毫米外形
符合RoHS &无卤
订购信息
部件名称
HMP164U6EFR8C-C4/Y5/S6/S5
HMP112U6EFR8C-C4/Y5/S6/S5
HMP112U7EFR8C-C4/Y5/S6/S5
HMP125U6EFR8C-C4/Y5/S6/S5
HMP125U7EFR8C-C4/Y5/S6/S5
密度
512MB
1GB
1GB
2GB
2GB
组织。
64Mx64
128Mx64
128Mx72
256Mx64
256Mx72
排名第
DRAM的
4
8
9
16
18
排名第
秩
1
1
1
2
2
物料
无卤
无卤
无卤
无卤
无卤
ECC
无
无
ECC
无
ECC
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版0.3 / 2008年11月
1
