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1240pin
DDR2 SDRAM非缓冲DIMM
直流输入逻辑电平
参数
DC输入逻辑高
DC输入逻辑低
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.125
-0.30
最大
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.125
单位
V
V
记
AC输入逻辑电平
DDR2 400 ， 533
参数
符号
民
AC输入逻辑高
AC输入逻辑低
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
REF
+ 0.250
-
DDR2 667 ， 800
单位
记
民
V
REF
+ 0.200
-
最大
-
V
REF
- 0.250
最大
-
V
REF
- 0.200
V
V
AC输入测试条件
符号
V
REF
V
SWING （ MAX）
SLEW
条件
输入参考电压
输入信号的最大峰 - 峰摆幅
输入信号的最小转换速率
价值
0.5 * V
DDQ
1.0
1.0
单位
V
V
V / ns的
笔记
1
1
2, 3
记
:
1.
2.
输入波形时序参考输入信号交叉通过V
REF
电平施加到器件
下测试通过。
该输入信号的最小压摆率要保持在从V的范围内
REF
到V
IH （AC）的
min的上升沿
从V范围内
REF
到V
白细胞介素（AC）的
如图所示，在下面的图中最大为下降沿。
3.
AC时序上的积极转变输入波形切换从VIL （ AC）到VIH （ AC）引用
和VIH的负跳变（ AC）到VIL （ AC） 。
V
SWING （ MAX）
V
DDQ
V
IH （AC）的
民
V
IH（ DC）的
民
V
REF
V
IL （ DC ）
最大
V
白细胞介素（AC）的
最大
V
SS
TR增量
瑞星杀=
V
IH （AC）的
分钟 - V
REF
TR增量
三角洲TF
<图： AC输入测试信号波形>
V
REF
- V
白细胞介素（AC）的
最大
三角洲TF
落摆=
修订版0.3 / 2008年11月
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