LTC3729L-6
应用S我FOR ATIO
效率方面的考虑
的开关稳压器的百分效率等于
输出功率由输入功率乘以100％分。
重要的是要分析单个损耗，以确定是非常有用的
是什么限制了英法fi效率以及改变会
产生了最大的改善。 ％的效率可
表示为：
％ Ef中网络连接效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L1，L2等是个别的损失以百分数
输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源通常占多数的
在LTC3729L - 6的电路损失： 1 ） LTC3729L - 6 V
IN
当前
（包括装载在所述差分放大器的输出端） ，
2 ） INTV
CC
稳压器电流， 3 ）I
2
损失和4 ）顶边
MOSFET的开关损耗。
1） V
IN
目前有两个部分组成：首先连接的是
在电气特性给定的直流电源电流
表，其中不包括MOSFET驱动器和电流控制
租金;第二个是当前从差动抽
放大器的输出。 V
IN
电流通常导致小
（ <0.1 ％）的损失。
2 ） INTV
CC
电流MOSFET驱动器的总和与
控制电流。从MOSFET驱动器目前的结果
开关的功率MOSFET的栅极电容。
每次一个MOSFET的栅极，从低切换到高，以
再低，充电dQ的数据包从移动INTV
CC
to
地面上。所得dQ的/ dt为一个电流输出INTV的
CC
那
通常比控制电路的电流大很多。在
连续模式下，我
GATECHG
= (Q
T
+ Q
B
） ，其中Q
T
和Q
B
有顶侧和底侧的栅极电荷
的MOSFET。
供应INTV
CC
通过EXTV电源
CC
开关量输入
从输出衍生源将缩放V
IN
当前
所需的比例的驱动和控制电路
（占空比） / （效率） 。例如，在一个20V至5V
INTV的应用， 10毫安
CC
目前的结果近似
第五三方共同3毫安
IN
电流。这减少了中间电流
由10％或更多的损失（如果驾驶员被直接供电
从V
IN
）到只有几个百分点。
20
U
3) I
2
损失由的直流电阻预测
保险丝（如果使用的话）时，MOSFET ，电感器，电流检测电阻
及输入和输出电容器的ESR。在连续模式
平均输出电流流过L和R
SENSE
,
但上部MOSFET和之间的“斩”
同步MOSFET。如果两个MOSFET具有近似
三方共同相同的R-
DS （ ON）
，一个则电阻
MOSFET能够简单地与L-的电阻相加，
R
SENSE
和ESR获得我
2
损失。例如，如果每个
R
DS （ ON）
=为10mΩ ，R
L
=为10mΩ ，而R
SENSE
= 5mΩ的，则
总电阻为25MΩ 。这导致损耗测距
从2 ％至8％的输出电流增大，从图3A到
每个输出级15A为一个5V的输出，或3％至12 ％的损失
每个输出级的3.3V输出。效率变化的
V的平方反比
OUT
对于相同的外部元件
和输出功率电平。的increas-的联合作用
多地降低输出电压和更高的电流所需
通过高性能数字系统不翻倍，但
四倍的开关损耗方面的重要性
调节系统！
4 ）转换损耗仅适用于上部MOSFET （S ）
且仅当在高输入电压下操作（通常
20V或更高）。转换损耗可以从估算：
过渡损失
≈
V
IN2
(I
O（最大值）
/ 2) (R
DR
) C
磨坊主
f
其他“隐藏”的损失，如铜走线和内部
电池电阻可以占到额外的5 ％至
10 ％的效率降低便携式系统。这是很
重要的是要包括在这些“系统”电平的损失
系统的设计。内置电池和输入保险丝
电阻损耗可以通过确保被最小化
C
IN
有足够的电荷存储和非常低的ESR的
开关频率。一个50W的电源通常需要
最小电容具有的200μF到300μF
最大为10mΩ对ESR的20MΩ 。该LTC3729L - 6
多相结构一般为减半季度
输入电容的要求比竞争对手的解决方案。
其他损失包括在肖特基导通损耗
死区时间和电感磁芯损耗一般占
小于2 ％的总的附加损耗。
sn3729l6 3729l6fs
W
U
U
