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SUP90N10-8m8P
Vishay Siliconix公司
典型特征
100
25 ℃，除非另有说明
1000
*有限
by
r
DS （ ON）
100
100
s
I
DAV
(A)
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 25 °C
I
D
- 漏电流（ A）
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
T
C
= 25 °C
单身
脉冲
1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
0.1
0.1
*V
GS
1
10
100
t
AV
（秒）
单脉冲雪崩电流能力与时间
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
at
其中R
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单身
脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?74644 。
文档编号： 74644
S- 71689 -REV 。 A， 13 - 8 - 07
www.vishay.com
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