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SUP90N10-8m8P
Vishay Siliconix公司
N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
100
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0088在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
90
d
Q
g
（典型值）
97
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
电源
- 次级同步整流
TO-220AB
产业
初级开关
D
G
摹 S
顶视图
订货信息：
SUP90N10-8m8P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
S
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
100
± 20
90
d
90
d
240
60
180
300
b
3.75
- 55 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
c
结至外壳（漏）
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。包装有限。
文档编号： 74644
S- 71689 -REV 。 A， 13 - 8 - 07
www.vishay.com
1
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.5
单位
° C / W
