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SUP90N06-5m0P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.0
I
D
= 20 A
1.7
r
DS （ ON）
- 导通电阻
V
GS （ TH）
方差（ V）
V
GS
= 10 V
（归一化）
1.4
0.2
0.8
- 0.4
I
D
= 5毫安
- 1.0
1.1
0.8
- 1.6
I
D
= 250
A
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 2.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与结温
10
I
D
=
85
A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
=
30
V
V
DS
= 20 V
6
V
DS
= 40 V
V
（ BR ） VDSS
（归一化）
74
72
70
68
66
64
62
60
0
0
22
44
66
88
110
58
- 50
I
D
= 1毫安
阈值电压
4
2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100
185
导通电阻与结温
10
I
S
-
来源
电流（A ）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
I
D
- 漏电流（ A）
148
1
111
包装有限公司
74
0.1
0.01
37
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
最大漏极电流与外壳温度
www.vishay.com
4
文档编号： 74641
S- 71687 -REV 。 A， 13 - 8 - 07
