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SUP90N06-5m0P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
120
V
GS
= 10到7 V
120
g
fs
- 跨导（S ）
150
T
C
= - 55 °C
100
I
D
- 漏电流（ A）
80
90
T
C
= 25 °C
60
6V
40
60
T
C
= 125 °C
20
30
0
0
1
2
3
4
5
0
0
12
24
36
48
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
输出特性
100
0.05
跨
I
D
= 20 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
80
I
D
- 漏电流（ A）
0.04
60
0.03
40
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
0.02
20
0.01
T
A
= 150 °C
T
C
= - 55 °C
0
0
2
4
6
8
10
0
4
5
6
T
A
= 25 °C
8
9
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
传输特性
0.0044
9000
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.0042
- 电容（pF ）
7200
C
国际空间站
5400
0.0040
V
GS
= 10 V
0.0038
3600
C
OSS
0.0036
1800
0.0034
0
20
40
60
80
100
0
0
C
RSS
12
24
36
48
60
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
文档编号： 74641
S- 71687 -REV 。 A， 13 - 8 - 07
电容
www.vishay.com
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