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IRFIB7N50L ， SiHFIB7N50L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
92
24
44
单身
D
特点
500
0.320
超快速体二极管无需使用
在ZVS应用外部二极管
更低的栅极电荷结果在简单的驱动器
Reqirements
增强的dV / dt功能提供了改进的
耐用性
RoHS指令
柔顺
的TO-220 FULLPAK
较高的栅极电压阈值提供了改进的噪声
免疫
=铅（Pb ） - 免费
应用
G
摹 S
S
N沟道
MOSFET
零电压开关SMPS
电信和服务器电源
不间断电源
电机控制应用
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
的TO-220 FULLPAK
IRFIB7N50LPbF
SiHFIB7N50L-E3
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
6.8
4.3
27
0.37
550
6.8
4.6
46
24
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图12）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 24 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 6.8 A（参见图14） 。
C.我
SD
≤
6.8 A， di / dt的
≤
650 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
，的dV / dt = 24 V / ns的，T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
文档编号： 91177
S-挂起-REV 。 A， 24军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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