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IRFIB7N50L ， SiHFIB7N50L
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
65
2.69
单位
° C / W
最大结至外壳（漏）
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
有效输出电容
（能源相关）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.1 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 4.1 A
500
-
3.0
-
-
-
-
4.7
-
0.44
-
-
-
-
0.32
-
-
-
5.0
± 100
50
2.0
0.38
-
V
V /°C的
V
nA
A
mA
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V至400 V
c
-
-
-
-
-
-
-
-
2220
230
23
2780
63
140
100
-
-
-
0.88
23
36
47
19
-
-
-
-
-
-
-
92
24
44
-
-
-
-
-
ns
Ω
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.8 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 7和16
b
-
-
F = 1MHz时，漏极开路
-
-
V
GS
= 10 V
V
DD
= 250 V，I
D
= 6.8 A,
R
G
= 9.0
Ω,
参见图。 11a和11b
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85
130
280
570
6.8
A
27
1.5
130
200
420
860
V
ns
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6.8 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 6.8 A,
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6.8 A,
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
体二极管反向恢复电荷
Q
rr
nC
www.vishay.com
2
文档编号： 91177
S-挂起-REV 。 A， 24军08
