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图8-2 。
内部存储器映射与GPNVM位1 = 0 （默认）
0x0000 0000
ROM重映射前
0x000F FFFF
核心SRAM （ 4字节）后，重映射
0x0010 0000
内置闪存
0x001F FFFF
1兆字节
1兆字节
0x0020 0000
0x002F FFFF
内部SRAM （核心）
4字节
内部SRAM （备份）
2字节
内部ROM
12字节
未定义区域
（中止）
1兆字节
256兆字节
0x0030 0000
0x003F FFFF
0x0040 0000
1兆字节
1兆字节
251兆字节
0x004F FFFF
0x0050 0000
0x0FFF FFFF
图8-3 。
内部存储器映射与GPNVM位1 = 1
0x0000 0000
闪重映射前
0x000F FFFF
核心SRAM （ 4字节）后，重映射
0x0010 0000
内置闪存
0x001F FFFF
1兆字节
1兆字节
0x0020 0000
0x002F FFFF
内部SRAM （核心）
4字节
内部SRAM （备份）
2字节
内部ROM
12字节
未定义区域
（中止）
1兆字节
0x0030 0000
256兆字节
0x003F FFFF
0x0040 0000
1兆字节
1兆字节
251兆字节
0x004F FFFF
0x0050 0000
0x0FFF FFFF
8.1.2
8.1.2.1
嵌入式闪存
闪存总览
在AT91SAM7L128的Flash组织在256个字节512页（单机） 。
在AT91SAM7L64的Flash组织在256个字节256页（单机） 。
Flash包含了一个128字节的写缓冲区，通过32位接口访问。
8.1.2.2
闪存电源
闪存是由VDDCORE通过对电源控制器控制的电源开关供电。
26
AT91SAM7L128 / 64初探
6257AS–ATARM–28-Feb-08
