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AT91SAM7L128 / 64初探
8.记忆
128 KB闪存（ AT91SAM7L128 ）
- 单一的平面
- 512页，每页256字节的一家银行
- 快速访问时间， 15兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 4.6毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 2.3毫秒
- 全片擦除时间： 10毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 16锁定位，每个保护32页16锁定区域
- 保护模式，以确保对Flash内容
64 KB闪存（ AT91SAM7L64 ）
- 单一的平面
- 256页，每页256字节的一家银行
- 快速访问时间， 15兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 4.6毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 2.3毫秒
- 全片擦除时间： 10毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 8锁定位，每个保护32页8锁定区域
- 保护模式，以确保对Flash内容
6个字节的快速SRAM
- 全速单周期访问
- 2Kb的SRAM备份的
- 4 KB的SRAM核心的
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6257AS–ATARM–28-Feb-08
