LTC3857
应用信息
如果占空比低于什么可被容纳
由最小导通时间时，控制器将开始跳
周期。输出电压将继续进行调节，
但纹波电压和电流将增加。
The minimum on-time for the LTC3857 is approximately
95ns. However, as the peak sense voltage decreases the
minimum on-time gradually increases up to about 130ns.
这是在强制连续应用特别关注
系统蒸发散，低纹波电流在轻负载。如果占空比
下降到低于最小导通时间限制在这种情况下，
一个显著量周期跳绳可发生cor-
响应而更大的电流和电压纹波。
效率方面的考虑
的开关稳压器的百分效率等于
the output power divided by the input power times 100%.
重要的是要分析单个损耗，以确定是非常有用的
是什么限制的效率和它的变化将
产生了最大的改善。 ％的效率
被表示为：
%Efficiency = 100% – (L1 + L2 + L3 + ...)
where L1, L2, etc. are the individual losses as a percent-
年龄的输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源通常占多数的
在LTC3857电路损失： 1 ） IC V
IN
current, 2) INTV
CC
稳压器电流， 3 ）I
2
损失， 4 ）上部MOSFET
转换损耗。
1. The V
IN
目前是给出的直流输入电源电流
在电气特性表，其中不包括
MOSFET驱动器和控制电流。 V
IN
目前典型
cally results in a small (<0.1%) loss.
2. INTV
CC
电流MOSFET驱动器的总和与
控制电流。 MOSFET驱动器目前的结果
从开关电源的栅极电容
的MOSFET。每次一个MOSFET的栅极，从切换
低到高再低，充电包，DQ ，移动
从INTV
CC
到地面。所得dQ的/ （dt）是一个电流
出了INTV
CC
这通常比大得多
控制电路的电流。在连续模式下，我
GATECHG
= F （Q
T
+ Q
B
） ，其中Q
T
和q
B
是的栅极电荷
顶面和底面边MOSFET 。
供应INTV
CC
从输出衍生的电源
通过EXTV
CC
将缩放V
IN
当前需要
对于由（占空比因子的驱动器和控制电路
Cycle)/(Efficiency). For example, in a 20V to 5V applica-
tion, 10mA of INTV
CC
目前的结果在大约
2.5mA of V
IN
电流。这降低了midcurrent损失
from 10% or more (if the driver was powered directly
从V
IN
）到只有几个百分点。
3. I
2
损失由的直流电阻预测
保险丝（如果使用的话） ，MOSFET，电感器，电流检测电阻
器和输入及输出电容器的ESR。在连续
模式中的平均输出电流流过L和
R
SENSE
但上部MOSFET之间斩
与同步MOSFET 。如果两个MOSFET都
大致相同的R-
DS （ ON）
，则电阻
一个MOSFET可以简单地用电阻来概括
升可用距离，R
SENSE
和ESR获得我
2
损失。为
例如，如果每个R
DS （ ON）
= 30mΩ, R
L
= 50mΩ, R
SENSE
= 10mΩ and R
ESR
= 40mΩ (sum of both input and
输出电容损失） ，则总电阻
is 130mΩ. This results in losses ranging from 3% to
13% as the output current increases from 1A to 5A for
a 5V output, or a 4% to 20% loss for a 3.3V output.
效率变化为V的平方成反比
OUT
为
相同的外部元件和输出功率电平。该
越来越低的输出电压组合效应
和所要求的高性能数字更高的电流
系统不翻倍，但翻两番的重要性
损失方面，在开关稳压器系统！
4. Transition losses apply only to the topside MOSFET(s),
且仅当在高操作变得显著
输入电压（典型地15V或更高）。过渡
损耗可以从公式估算：
Transition Loss = (1.7) V
IN
2 I
O（最大值）
C
RSS
f
3857fa
