LTC3857
应用信息
的峰 - 峰值驱动电平由INTV设置
CC
电压。这个电压通常为5.1V启动期间
（见EXTV
CC
引脚连接） 。因此，逻辑电平
阈值MOSFET必须在大多数应用中使用。
唯一的例外是，如果输入电压过低预期
(V
IN
< 4V ） ;然后，分逻辑电平阈值的MOSFET
(V
GS （ TH）
< 3V) should be used. Pay close attention to the
BV
DSS
规范了MOSFET的为好;许多的
logic level MOSFETs are limited to 30V or less.
对于功率MOSFET的选择标准包括导通
电阻R
DS （ ON）
米勒电容C
磨坊主
输入
电压和最大输出电流。米勒电容，
C
磨坊主
可以从栅极电荷曲线来近似
通常设置在MOSFET的制造商的数据
表。
磨坊主
等于增加的栅极电荷
沿水平轴，而曲线近似
平在V指定变化划分
DS
。这个结果是
然后，通过施加V中的应用程序的比率乘以
DS
指定V的栅极电荷曲线
DS
。当IC是
在连续模式中操作的工作周期为顶端
和低端MOSFET由下式给出：
主开关管的占空比
=
V
OUT
V
IN
V
IN
V
OUT
V
IN
其中， δ为R的温度依赖性
DS （ ON）
AND
R
DR
(approximately 2Ω) is the effective driver resistance
在MOSFET的米勒门限电压。 V
THmin
为
典型MOSFET的最小阈值电压。
两个MOSFET有我
2
损失，而上部N沟道
公式包含一个附加的术语转换损耗，
这是最高的，在高输入电压。对于V
IN
< 20V
高电流效率普遍提高较大
的MOSFET ，而对于V
IN
> 20V the transition losses rapidly
增加的点，使用了更高的R
DS （ ON）
“设备”
低
磨坊主
实际上提供了更高的效率。该
同步MOSFET的损耗是最大的，在高输入
电压时的顶开关占空因数低或中
短路时，同步开关是关闭时
to 100% of the period.
The term (1+ δ) is generally given for a MOSFET in the
归一化的R形
DS （ ON）
与温度的关系曲线，但
δ = 0.005/°C can be used as an approximation for low
电压的MOSFET 。
可选的肖特基二极管D1和D2所示的
期间之间的死区时间图11进行
导通两个功率MOSFET 。这可以防止
下面的MOSFET的从导通的体二极管，
在死区时间存储电荷和要求
reverse recovery period that could cost as much as 3%
在高效率V
IN
. A 1A to 3A Schottky is generally
一个很好的妥协操作由于这两个地区
以相对小的平均电流。更大的二极管
由于其较大导致额外的转换损耗
结电容。
C
IN
和C
OUT
选择
C的选择
IN
is simplified by the 2-phase architec-
自命其在最坏情况下的冲击电流有效值画
通过输入网络（电池/保险丝/电容） 。它可以
可以表明，最坏情况下的电容器RMS电流OC-
小人当只有一个控制器运行。该控制器
具有最高（Ⅴ
OUT
)(I
OUT
）产物需要使用
在等式中所示的式（1）中，以确定
同步开关的占空比
=
该MOSFET的功耗最大输出
电流由下式给出：
P
主
=
V
OUT
I
V
在MAX
(
)
2
(
1
+ δ
)
R
DS （ ON）
+
(
)(
)
(
V
IN
)
2
I
最大
2
R
DR
C
磨坊主
1
1
+
f
V
INTVCC
– V
THmin
V
THmin
P
SYNC
=
V
IN
– V
OUT
I
最大
V
IN
()
(
)
2
(
1
+ δ
)
R
DS （ ON）
3857fa
