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恩智浦半导体
PESD5V0V1BSF
双向极低电容ESD保护二极管
20
V
CL
(V)
15
018aaa038
5
V
CL
(V)
0
018aaa039
10
5
5
10
0
15
5
50
20
90
160
230
T（ NS ）
300
20
50
20
90
160
230
T（ NS ）
300
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图6 。
夹1千伏ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
90
018aaa040
图7 。
夹
1
kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
10
018aaa041
V
CL
(V)
70
V
CL
(V)
10
50
30
30
50
10
70
10
50
20
90
160
230
T（ NS ）
300
90
50
20
90
160
230
T（ NS ）
300
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图8 。
夹紧8千伏静电放电脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
图9 。
夹
8
kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
PESD5V0V1BSF
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第2版 - 2011年2月17日
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