HAT2173N
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1684-0100
Rev.1.00
2008年5月28日
特点
可8 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 12.3 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
瑞萨封装代码： PTSP0008DC -A
（包名称： LFPAK -I ）
1(S)
2(S)
3(S)
4(G)
5 6 7 8
DDDD
2X
XX
8(D)
7(D)
6(D)
5(D)
4
G
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25
°
C， RG
≥
50
3.锝= 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
25
100
25
25
62.5
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C / W
°
C
°
C
REJ03G1684-0100 Rev.1.00 2008年5月28日
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