HAT2173N
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1684-0100
Rev.1.00
2008年5月28日
特点
可8 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 12.3 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
瑞萨封装代码： PTSP0008DC -A
（包名称： LFPAK -I ）
1(S)
2(S)
3(S)
4(G)
5 6 7 8
DDDD
2X
XX
8(D)
7(D)
6(D)
5(D)
4
G
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25
°
C， RG
≥
50
3.锝= 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
25
100
25
25
62.5
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C / W
°
C
°
C
REJ03G1684-0100 Rev.1.00 2008年5月28日
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HAT2173N
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
100
±20
—
—
4.0
—
—
27
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
12.3
13.3
45
4350
520
150
0.5
61
23
14.5
20
15
37
5.7
0.82
55
最大
—
—
±10
1
6.0
15.3
17.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.07
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= ±100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 20mA下
I
D
= 12.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 12.5 A，V
GS
= 8 V
Note4
I
D
= 12.5 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V,V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.5 A,
V
DD
30 V ，R
L
= 2.4
,
RG = 4.7
I
F
= 25 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 25 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
s
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第2 7
HAT2173N
主要特点
功率与温度降额
40
500
100
30
10
10
s
PW
1 m
0
s
s
DC
= 1
Op
0 m
s
er
at
离子
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
10
20
1
操作
这个区域是
0.1
限于由R
DS （ ON）
TC = 25°C
1次脉冲
10
0
50
100
150
200
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
500
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
8V
6.2 V
5.8 V
脉冲测试6.0 V
50
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
40
40
30
30
25°C
TC = 75℃
10
-25°C
20
5.6 V
5.4 V
V
GS
= 5.0 V
20
10
5.2 V
8
10
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
100
脉冲测试
50
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极电压V
DS （ ON）
（毫伏）
500
脉冲测试
400
300
I
D
= 50 A
200
20 A
100
10 A
20
10
5
V
GS
= 8 V
10 V
2
1
1
3
10
30
100
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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HAT2173N
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
50
脉冲测试
40
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
1000
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10
30
100
25°C
TC = -25°C
75°C
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
30
20
V
GS
= 8 V
10
0
-25
10 V
5 A, 10 A, 20 A
0
25
50
75
100 125 150
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
西塞
3000
1000
300
100
30
10
0
10
20
30
科斯
CRSS
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr （ NS ）
50
20
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
电容C （PF ）
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
40
50
10
0.1
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
250
I
D
= 25 A
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
V
GS
20
1000
300
100
开关特性
200
16
12
开关时间t（ NS ）
tf
TD （关闭）
150
V
DS
= 100 V
100
50 V
25 V
V
DD
0
20
40
60
80
30 TD （上）
10
3
tr
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
,
税
≤
1 %
2
5 10 20
50 100
8
50
4
0
100
1
0.1 0.2 0.5 1
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
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第4 7
HAT2173N
反向漏电流 -
源极到漏极电压
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
50
100
I
AP
= 25 A
V
DD
= 50 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
最大雪崩能量 -
通道温度降额
反向漏电流I
DR
(A)
40
10 V
30
80
60
20
5V
V GS = 0
脉冲测试
40
10
20
0
25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
75
100
125
150
源极到漏极电压V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
- c
θch
- C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
u
tp
LSE
0.05
0.03
0.02
1
0.0
D=
PW
T
PW
T
0.01
10
ho
1s
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
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第5页第7
QQ：2880707522 复制
