订购数量： ENN7197
2SK3486
N沟道MOSFET硅
2SK3486
超高速开关应用
初步
特点
包装尺寸
单位：mm
2062A
[2SK3486]
4.5
1.6
1.5
低导通电阻。
超高速开关。
2.5V驱动器。
0.5
3
1.5
2
3.0
1
1.0
0.4
2.5
4.25max
0.4
（底视图）
0.75
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： PCP
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 250毫米
!0.8mm)
2
条件
评级
20
±10
8
32
1.5
3.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Tc=25°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 20V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 4A
ID = 4A ， VGS = 4V
ID = 2A ， VGS = 2.5V
0.4
7
10
33
40
43
56
评级
民
20
1
±10
1.3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
标记： LC
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
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在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
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