2SK3486
3
y
fs - ID
VDS=10V
正向转移导纳，
y
fs - S
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
IF - 室间隔缺损
VGS=0
10
7
5
C
25
°
TC =
°
C
--25
C
75
°
正向电流IF - 一个
3
2
TC =
75
°
C
25
°
C
0.3
0.4
0.5
3
2
1.0
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
0.01
0.2
1.0
漏极电流ID -
1000
7
5
10
IT04276
0.6
--25
°
C
0.7
0.1
7
5
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
SW时间 - ID
VDD=10V
VGS=4V
10000
7
5
3
2
西塞，科斯，的Crss - VDS
f=1MHz
二极管的正向电压， VSD - V
IT04277
切换时间， SW时间 - NS
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
西塞，科斯，的Crss - pF的
TD （关闭）
1000
7
5
3
2
西塞
tf
TD （上）
tr
科斯
100
7
5
3
2
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
CRSS
1.0
漏极电流ID -
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
10
IT03518
7
5
3
2
VGS - 的Qg
漏极至源极电压VDS - V
IT03519
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS=10V
ID=8A
漏极电流ID -
IDP=32A
ID=8A
<10s
100
1m
s
s
10m
s
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
DC
100
m
OPE
s
RAT
离子
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
8
IT04278
0.01
0.1
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板（ 250毫米
2
!0.8mm)
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
2.0
PD - TA
允许功耗， PD - 含
漏极至源极电压VDS - V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
IT04279
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
1.5
M
ou
NTE
d
on
1.0
ac
ERA
m
ic
bo
ARD
(2
0.5
50
mm
2
!
0
.8m
m)
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT04280
外壳温度，TC -
°C
IT04281
No.7197-3/4
