6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 k
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
V
EH
V
EL
R
L
N
民
- 40
4.5
0
5
2.0
0.0
330
典型值。
最大
100
5.5
250
15
V
CC
0.8
4K
5
单位
°C
V
A
mA
V
V
-
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
反向电流
输入电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5.0
V
F = 1MHz时，
V
F
= 0
V
符号
V
F
I
R
C
I
民
1.1
典型值。
1.4
0.01
55
最大
1.7
10
单位
V
A
pF
产量
参数
高水平的供应
电流（单
频道）
高水平的供应
电流（双
频道）
低电平电源
电流（单
频道）
低电平电源
电流（双
频道）
高电平输出
当前
低电平输出
电压
输入treshold
当前
高级别启用
当前
低电平使能
当前
高级别启用
电压
低电平使能
电压
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
测试条件
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 0毫安
符号
I
CCH
民
典型值。
4.1
最大
7.0
单位
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
I
CCH
I
CCH
3.3
6.9
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 10毫安，
I
CCL
4.0
7.0
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
CCL
I
CCL
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
F
= 250
A
V
E
= 2.0
V,
I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V
V
E
= 0.5
V
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
A
V
mA
mA
mA
V
0.8
V
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