6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
高速光耦， 10万桶
特点
10 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒和100
V / μs的
高速10MBd的典型
e3
+ 5
V
CMOS兼容
保证AC和DC性能比温
perature ： - 40 + 100 ℃的温度。范围
纯锡引线
符合IEC60068-2-42 （ SO
2
）和
IEC60068-2-43 （H
2
S）的要求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
单通道
双通道
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VE
VO
GND
18921_5
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VO1
VO2
GND
6N137 ， VO2601 ， VO2611
VO2630 ， VO2631 ， VO4661
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA公告
5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
每个IEC60950强化绝缘等级
2.10.5.1
VDE
可通过选项1
开路集电极肖特基钳位晶体管输出。
该
VO2630 ， VO2631
和
VO4661
是双通道
10MBd光耦合器。对于单信道类型，一
引脚7启动功能可以让探测器是
选通。内部屏蔽提供了保证
5 kV共模瞬态抗扰度/ μs的时间
VO2601
和
VO2631
10 KV / μs的时间
VO2611
和
VO4661.
使用0.1 μF旁路电容
连接销5和8之间，推荐。
订购信息
部分
6N137
6N137-X006
备注
100
V / μs的，
单路， DIP- 8
100
V / μs的，
单路， DIP - 8 400万
100
V / μs的，
单通道， SMD- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，单声道， SMD- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP - 8 400万
10 KV / μs的，单通道， SMD- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP - 8 400万
100
V / μs的，
双通道， SMD- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，双通道， SMD- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP - 8 400万
10 KV / μs的，双通道， SMD- 8
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
电脑外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的， DeviceNet的，
PROFIBUS， SDS
高速A / D和D / A转换
AC等离子显示面板电平转换
多道数据传送
数字控制电源
消除接地环路
6N137-X007
VO2601
VO2601-X006
VO2601-X007
VO2611
VO2611-X006
VO2611-X007
VO2630
VO2630-X006
VO2630-X007
VO2631
VO2631-X006
描述
该6N137 ，
VO2601
和
VO2611
是单声道
利用高效输入10万桶光电耦合器
LED加上集成光学光电二极管集成电路
探测器。检测器有一个开漏NMOS-转录
体管的输出，从而提供较少的泄漏相比，一个
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
VO2631-X007
VO4661
VO4661-X006
VO4661-X007
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1
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
真值表（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
平均正向电流
1)
平均正向电流
2)
反向输入电压
使能输入电压
1)
使能输入电流
1)
浪涌电流
1)
2)
测试条件
符号
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
价值
20
15
5
V
CC
+ 0.5
V
5
200
单位
mA
mA
V
V
mA
mA
t = 100
s
I
FSM
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
产量
参数
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散
1)
输出功率耗散
2)
1)
2)
测试条件
最长1分钟。
符号
V
CC
I
O
V
O
P
O
P
O
价值
7
50
7
85
60
单位
V
mA
V
mW
mW
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
耦合器
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
1)
焊锡溢流温度
2)
绝缘测试电压
1)
2)
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
价值
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
260
单位
°C
°C
°C
°C
V
RMS
持续10秒。
1分钟
T = 1.0秒。
V
ISO
5300
封装形式：DIP - 8通孔
封装形式：DIP - 8 SMD
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2
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 k
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
V
EH
V
EL
R
L
N
民
- 40
4.5
0
5
2.0
0.0
330
典型值。
最大
100
5.5
250
15
V
CC
0.8
4K
5
单位
°C
V
A
mA
V
V
-
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
反向电流
输入电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5.0
V
F = 1MHz时，
V
F
= 0
V
符号
V
F
I
R
C
I
民
1.1
典型值。
1.4
0.01
55
最大
1.7
10
单位
V
A
pF
产量
参数
高水平的供应
电流（单
频道）
高水平的供应
电流（双
频道）
低电平电源
电流（单
频道）
低电平电源
电流（双
频道）
高电平输出
当前
低电平输出
电压
输入treshold
当前
高级别启用
当前
低电平使能
当前
高级别启用
电压
低电平使能
电压
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
测试条件
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 0毫安
符号
I
CCH
民
典型值。
4.1
最大
7.0
单位
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
I
CCH
I
CCH
3.3
6.9
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 10毫安，
I
CCL
4.0
7.0
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
CCL
I
CCL
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
F
= 250
A
V
E
= 2.0
V,
I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V
V
E
= 0.5
V
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
A
V
mA
mA
mA
V
0.8
V
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3
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
开关特性
在推荐的温度（T
a
= - 40 + 100 ℃） ，
V
CC
= 5
V,
I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
a
= 25 °C,
V
CC
= 5
V.
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10 - 90％）
输出下降时间（ 90 - 10 ％ ）
传播延迟时间
从启用
V
EH
to
V
EL
传播延迟时间
从启用
V
EL
to
V
EH
*
测试条件
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PLH
民
20
典型值。
48
最大
75
*
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
t
PHL
t
PHL
25
50
75
*
100
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
| t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
2.9
8
23
7
12
11
35
40
75纳秒仅适用于6N137 ，一个JEDEC规范注册
VCC
单通道
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
输入IF
监测
节点
R
M
1
IF
2
3
4
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
RL
0.1
F
绕行
输入IF
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
的TPH1
IF
= 7.5毫安
IF
= 3.75毫安
0毫安
VOH
1.5 V
VOL
TPL
输出端VO
探头和夹具电容包括C语言
L
18964-2
图1.单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
IF
1
输入
监测
节点
RM
2
3
4
18963-2
VCC
双通道
VCC
8
7
6
GND
5
0.1
F
绕行
RL
输出电压V
O
监测
节点
CL = 15 pF的
图2.双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
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4
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
1
7.5毫安
IF
2
3
4
输入VE
监测
节点
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VCC
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入VE
tEHL
tELH
输出端VO
3V
1.5 V
1.5 V
探头和夹具电容包括C语言
L
18975-2
图3.单通道测试电路吨
EHL
和T
ELH
共模瞬态抗扰度
参数
共模
瞬态抗扰度
（高）
测试条件
|V
CM
| = 10
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 50
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 1千伏，
V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
3)
|V
CM
| = 10
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 50
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
2)
|V
CM
| = 1千伏，
V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
3)
1)
2)
3)
1)
2)
1)
符号
|厘米
H
|
民
100
典型值。
最大
单位
V / μs的
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
5000
10000
100
5000
10000
10000
15000
V / μs的
V / μs的
V / μs的
10000
15000
V / μs的
V / μs的
为6N137和
VO2630
为
VO2601
和
VO2631
为
VO2611
和
VO4661
VCC
IF
1
B
A
V
FF
2
3
4
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VO 0.5 V
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
V
CM 0 V
VO 5 V
V（ PEAK ）
CM
交换机AT A ： IF = 0毫安
VO （分钟）
开关AT A ： IF = 7.5毫安
VO （最大）
CMH
CML
V
CM
+
-
脉冲发生器
ZO = 50
图4.单通道测试电路的共模瞬态抗扰度
18976-2
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
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5
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
高速光耦， 10万桶
特点
10 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒和100
V / μs的
高速10MBd的典型
e3
+ 5
V
CMOS兼容
保证AC和DC性能比温
perature ： - 40 + 100 ℃的温度。范围
纯锡引线
符合IEC60068-2-42 （ SO
2
）和
IEC60068-2-43 （H
2
S）的要求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
单通道
双通道
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VE
VO
GND
18921_5
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VO1
VO2
GND
6N137 ， VO2601 ， VO2611
VO2630 ， VO2631 ， VO4661
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA公告
5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
每个IEC60950强化绝缘等级
2.10.5.1
VDE
可通过选项1
开路集电极肖特基钳位晶体管输出。
该
VO2630 ， VO2631
和
VO4661
是双通道
10MBd光耦合器。对于单信道类型，一
引脚7启动功能可以让探测器是
选通。内部屏蔽提供了保证
5 kV共模瞬态抗扰度/ μs的时间
VO2601
和
VO2631
10 KV / μs的时间
VO2611
和
VO4661.
使用0.1 μF旁路电容
连接销5和8之间，推荐。
订购信息
部分
6N137
6N137-X006
备注
100
V / μs的，
单路， DIP- 8
100
V / μs的，
单路， DIP - 8 400万
100
V / μs的，
单通道， SMD- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，单声道， SMD- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP - 8 400万
10 KV / μs的，单通道， SMD- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP - 8 400万
100
V / μs的，
双通道， SMD- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，双通道， SMD- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP - 8 400万
10 KV / μs的，双通道， SMD- 8
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
电脑外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的， DeviceNet的，
PROFIBUS， SDS
高速A / D和D / A转换
AC等离子显示面板电平转换
多道数据传送
数字控制电源
消除接地环路
6N137-X007
VO2601
VO2601-X006
VO2601-X007
VO2611
VO2611-X006
VO2611-X007
VO2630
VO2630-X006
VO2630-X007
VO2631
VO2631-X006
描述
该6N137 ，
VO2601
和
VO2611
是单声道
利用高效输入10万桶光电耦合器
LED加上集成光学光电二极管集成电路
探测器。检测器有一个开漏NMOS-转录
体管的输出，从而提供较少的泄漏相比，一个
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
VO2631-X007
VO4661
VO4661-X006
VO4661-X007
www.vishay.com
1
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
真值表（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
平均正向电流
1)
平均正向电流
2)
反向输入电压
使能输入电压
1)
使能输入电流
1)
浪涌电流
1)
2)
测试条件
符号
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
价值
20
15
5
V
CC
+ 0.5
V
5
200
单位
mA
mA
V
V
mA
mA
t = 100
s
I
FSM
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
产量
参数
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散
1)
输出功率耗散
2)
1)
2)
测试条件
最长1分钟。
符号
V
CC
I
O
V
O
P
O
P
O
价值
7
50
7
85
60
单位
V
mA
V
mW
mW
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
耦合器
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
1)
焊锡溢流温度
2)
绝缘测试电压
1)
2)
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
价值
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
260
单位
°C
°C
°C
°C
V
RMS
持续10秒。
1分钟
T = 1.0秒。
V
ISO
5300
封装形式：DIP - 8通孔
封装形式：DIP - 8 SMD
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文档编号84732
1.0版， 07军， 05
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 k
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
V
EH
V
EL
R
L
N
民
- 40
4.5
0
5
2.0
0.0
330
典型值。
最大
100
5.5
250
15
V
CC
0.8
4K
5
单位
°C
V
A
mA
V
V
-
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
反向电流
输入电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5.0
V
F = 1MHz时，
V
F
= 0
V
符号
V
F
I
R
C
I
民
1.1
典型值。
1.4
0.01
55
最大
1.7
10
单位
V
A
pF
产量
参数
高水平的供应
电流（单
频道）
高水平的供应
电流（双
频道）
低电平电源
电流（单
频道）
低电平电源
电流（双
频道）
高电平输出
当前
低电平输出
电压
输入treshold
当前
高级别启用
当前
低电平使能
当前
高级别启用
电压
低电平使能
电压
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
测试条件
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 0毫安
符号
I
CCH
民
典型值。
4.1
最大
7.0
单位
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
I
CCH
I
CCH
3.3
6.9
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 10毫安，
I
CCL
4.0
7.0
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
CCL
I
CCL
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
F
= 250
A
V
E
= 2.0
V,
I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V
V
E
= 0.5
V
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
A
V
mA
mA
mA
V
0.8
V
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3
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
开关特性
在推荐的温度（T
a
= - 40 + 100 ℃） ，
V
CC
= 5
V,
I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
a
= 25 °C,
V
CC
= 5
V.
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10 - 90％）
输出下降时间（ 90 - 10 ％ ）
传播延迟时间
从启用
V
EH
to
V
EL
传播延迟时间
从启用
V
EL
to
V
EH
*
测试条件
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PLH
民
20
典型值。
48
最大
75
*
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
t
PHL
t
PHL
25
50
75
*
100
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
| t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
2.9
8
23
7
12
11
35
40
75纳秒仅适用于6N137 ，一个JEDEC规范注册
VCC
单通道
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
输入IF
监测
节点
R
M
1
IF
2
3
4
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
RL
0.1
F
绕行
输入IF
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
的TPH1
IF
= 7.5毫安
IF
= 3.75毫安
0毫安
VOH
1.5 V
VOL
TPL
输出端VO
探头和夹具电容包括C语言
L
18964-2
图1.单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
IF
1
输入
监测
节点
RM
2
3
4
18963-2
VCC
双通道
VCC
8
7
6
GND
5
0.1
F
绕行
RL
输出电压V
O
监测
节点
CL = 15 pF的
图2.双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
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4
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
6N137 / VO2601 / 11 / VO2630 / 31 / VO4661
威世半导体
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
1
7.5毫安
IF
2
3
4
输入VE
监测
节点
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VCC
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入VE
tEHL
tELH
输出端VO
3V
1.5 V
1.5 V
探头和夹具电容包括C语言
L
18975-2
图3.单通道测试电路吨
EHL
和T
ELH
共模瞬态抗扰度
参数
共模
瞬态抗扰度
（高）
测试条件
|V
CM
| = 10
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 50
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 1千伏，
V
CC
= 5
V,
I
F
= 0 mA时，
V
O（分钟）
= 2
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
3)
|V
CM
| = 10
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
|V
CM
| = 50
V, V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
2)
|V
CM
| = 1千伏，
V
CC
= 5
V,
I
F
= 7.5毫安，
V
O（最大值）
= 0.8
V,
R
L
= 350
,
T
AMB
= 25 °C
3)
1)
2)
3)
1)
2)
1)
符号
|厘米
H
|
民
100
典型值。
最大
单位
V / μs的
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
5000
10000
100
5000
10000
10000
15000
V / μs的
V / μs的
V / μs的
10000
15000
V / μs的
V / μs的
为6N137和
VO2630
为
VO2601
和
VO2631
为
VO2611
和
VO4661
VCC
IF
1
B
A
V
FF
2
3
4
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VO 0.5 V
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
V
CM 0 V
VO 5 V
V（ PEAK ）
CM
交换机AT A ： IF = 0毫安
VO （分钟）
开关AT A ： IF = 7.5毫安
VO （最大）
CMH
CML
V
CM
+
-
脉冲发生器
ZO = 50
图4.单通道测试电路的共模瞬态抗扰度
18976-2
文档编号84732
1.0版， 07军， 05
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6N137 ， VO2601 ， VO2611 ， VO2630 ， VO2631 ， VO4661
威世半导体
高速光耦， 10万桶
特点
15 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒， 100伏/微秒
高速10MBd的典型
+ 5 V CMOS兼容
单通道
双通道
纯锡引线
8
7
6
5
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
V
E
V
O
GND
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
V
CC
V
O1
V
O2
GND
保证交流和直流性能超过
温度： - 40 ° C至+ 100 °C温度范围
符合IEC 60068-2-42 （ SO
2
）和IEC 60068-2-43 （高
2
S)
需求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
6N137,
VO2601 ， VO2611
18921-15
VO2630 ， VO2631 ， VO4661
描述
该6N137 ， VO2601及VO2611是单通道10万桶
利用高效率的光电耦合器的输入LED加上
集成光学光电二极管集成电路检测器。该探测器
有一个开漏NMOS晶体管输出，提供较少
泄漏相比，集电极开路肖特基钳位
晶体管输出。该VO2630 ， VO2631及VO4661是
双通道10 MBd的光耦合器。对于单信道
类型，在销7的启动功能允许检测器是
选通。内部屏蔽提供了一个共同保证
5千伏模瞬态抗扰度/ μs的时间VO2601和
VO2631和15千伏/ μs的时间VO2611及VO4661 。利用
一个0.1 μF旁路电容连接引脚5和8之间的
值得推荐。
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
计算机外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的，的DeviceNet ， PROFIBUS ，
SDS
高速A / D和D / A转换
交流电等离子体显示面板的电平移位
复用的数据传输
数字控制电源
消除接地环路
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）可用的选项1
BSI IEC 60950
订购信息
部分
6N137
6N137-X006
6N137-X007
VO2601
VO2601-X006
VO2601-X007
VO2611
VO2611-X006
VO2611-X007
VO2630
VO2630-X006
VO2630-X007
VO2631
VO2631-X006
备注
100 V / μs的，单通道， DIP- 8
100 V / μs的，单通道， DIP - 8 400万
100 V / μs的，单通道， SMD- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP - 8 400万
5千伏/微秒，单声道， SMD- 8
15 KV / μs的，单通道， DIP- 8
15 KV / μs的，单通道， DIP - 8 400万
15 KV / μs的，单通道， SMD- 8
100 V / μs的，双通道， DIP- 8
100 V / μs的，双通道， DIP - 8 400万
100 V / μs的，双通道， SMD- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP- 8
5千伏/微秒，双通道， DIP - 8 400万
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174
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 84732
修订版1.3 ， 06 -OCT- 08
6N137 ， VO2601 ， VO2611 ， VO2630 ， VO2631 ， VO4661
高速光耦， 10万桶
威世半导体
订购信息
部分
VO2631-X007
VO4661
VO4661-X006
VO4661-X007
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
5千伏/微秒，双通道， SMD- 8
15 KV / μs的，双通道， DIP- 8
15 KV / μs的，双通道， DIP - 8 400万
15 KV / μs的，双通道， SMD- 8
真值表
（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
(1)
产量
L
H
H
H
L
H
绝对最大额定值
参数
输入
平均正向电流
（单信道）
平均正向电流
（每通道为双通道）
反向输入电压
使能输入电压
使能输入电流
浪涌电流
输出功率耗散
（单信道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
产量
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散
（单信道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
耦合器
绝缘测试电压
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度
(2)
测试条件
符号
价值
单位
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
T = 100微秒
I
FSM
P
DISS
P
DISS
20
15
5
V
CC
+ 0.5 V
5
200
35
25
mA
mA
V
V
mA
mA
mW
mW
1分钟最大
V
CC
I
O
V
O
P
DISS
P
DISS
7
50
7
85
60
V
mA
V
mW
mW
T = 1.0秒
V
ISO
T
英镑
T
AMB
5300
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
260
V
RMS
°C
°C
°C
°C
10秒
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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6N137 ， VO2601 ， VO2611 ， VO2630 ， VO2631 ， VO4661
威世半导体
高速光耦， 10万桶
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 kΩ
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
V
EH
V
EL
R
L
N
分钟。
- 40
4.5
0
5
2
0
330
马克斯。
100
5.5
250
15
V
CC
0.8
4K
5
单位
°C
V
A
mA
V
V
Ω
-
电气特性
参数
输入
输入正向电压
反向电流
输入电容
产量
高水平的电源电流
（单信道）
高水平的电源电流
（双通道）
低电平电源电流
（单信道）
低电平电源电流
（双通道）
高电平输出电流
低电平输出电压
输入阈值电流
高级别使电流
低电平使电流
高级别启用电压
低电平使能电压
V
E
= 0.5 V，I
F
= 0毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
V
E
= 0.5 V，I
F
= 10毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 2 V, V
O
= 5.5 V，I
F
= 250 A
V
E
= 2 V，I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2 V, V
O
= 5.5 V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2 V
V
E
= 0.5 V
I
CCH
I
CCH
I
CCH
I
CCL
I
CCL
I
CCL
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2
0.8
4.1
3.3
6.5
4.0
3.3
6.5
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
7.0
6.0
12.0
7.0
6.0
12.0
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mA
mA
mA
V
V
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
I
1.1
1.4
0.01
55
1.7
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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文档编号： 84732
修订版1.3 ， 06 -OCT- 08
6N137 ， VO2601 ， VO2611 ， VO2630 ， VO2631 ， VO4661
高速光耦， 10万桶
威世半导体
开关特性
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度disortion
传播延迟偏斜
输出上升时间（10至90％）
输出的下降时间（ 9010 ％）
传播延迟时间
从V启用
EH
到V
EL
传播延迟时间
从V启用
EL
到V
EH
(1)
测试条件
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0 V, V
EH
= 3 V
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0 V, V
EH
= 3 V
符号
t
PLH
t
PLH
t
PHL
t
PHL
|t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
分钟。
20
25
典型值。
48
50
2.9
8
23
7
12
11
马克斯。
75
(2)
100
75
(2)
100
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
(1)
在推荐的温度（T
AMB
= - 40 ° C至+ 100 ° C） ，V
CC
= 5 V，I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V.
(2)
75纳秒仅适用于6N137 ，一个JEDEC规范注册
V
CC
单通道
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
输入I
F
监测
节点
R
M
1
I
F
2
3
4
GND
V
CC
8
V
E
7
V
OUT
6
5
R
L
0.1
F
绕行
输入I
F
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
t
PHL
探头和夹具电容包括C语言
L
t
PLH
18964-2
I
F
= 7.5毫安
I
F
= 3.75毫安
0毫安
V
OH
1.5
V
V
OL
产量
V
O
图。 1 - 单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
ZO = 50
Ω
五六= T R = 5纳秒
IF
1
输入
监测
节点
RM
2
3
4
18963-5
V
CC
双通道
V
CC
8
7
6
GND
5
0.1
F
绕行
RL
产量
V
O
监测
节点
CL = 15 pF的
图。 2 - 双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
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6N137 ， VO2601 ， VO2611 ， VO2630 ， VO2631 ， VO4661
威世半导体
高速光耦， 10万桶
PULSE GEN 。
Z
o
= 50
Ω
t
f
= t
r
= 5纳秒
1
7.5毫安
I
F
2
3
4
输入
V
E
监视节点
单通道
V
CC
8
V
E
7
V
OUT
6
GND
5
V
CC
RL
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入
V
E
t
EHL
t
ELH
产量
V
O
3
V
1.5
V
1.5
V
探头和夹具电容包括C语言
L
图。 3 - 单通道测试电路吨
EHL
和叔
ELH
18975-2
共模瞬态抗扰度
参数
测试条件
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
共模瞬态抗扰度
（高）
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
笔记
(1)
对于6N137与VO2630
(2)
对于VO2601及VO2631
(3)
对于VO2611及VO4661
符号
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
分钟。
100
5000
15 000
100
5000
15 000
10 000
25 000
10 000
25 000
典型值。
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V
CC
I
F
1
B
A
V
FF
2
3
4
GND
单通道
V
CC
8
V
E
7
6
5
V
O
0.5
V
R
L
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
V
CM
0
V
V
O
5
V
V
CM
（峰值）
开关AT A ：我
F
= 0毫安
V
O
（分）
开关AT A ：我
F
= 7.5毫安
V
O
（ MAX 。 ）
CM
H
V
OUT
CM
L
V
CM
+
-
脉冲发生器
Z
O
= 50
Ω
18976-2
图。 4 - 单通道测试电路的共模瞬态抗扰度
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