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LTC3826-1
应用信息
使用更小的电感和电容值。那么，为什么会
有人曾经选择在较低的频率来操作
较大的组件？答案是EF网络效率。较高
频率通常会导致较低的EF网络效率，因为
对MOSFET的栅极电荷损耗。除了这个基本
折衷，电感值的纹波电流和效果
低电流工作，还必须考虑。
电感值对脉动电流的直接效果。
电感纹波电流
ΔI
L
降低较高
电感或频率和较高的V变
IN
:
I
L
=
V
1
V
OUT
1–
OUT
（六） （L）的
V
IN
铁素体的设计具有非常低的磁芯损耗和优选
在高开关频率，因此设计目标可以
专注于铜损和防止饱和。
铁氧体磁芯材料饱和“硬”，这意味着，
电感突然崩溃时的峰值电流的设计
被超过。这导致电感器的突然增加
纹波电流和由此产生的输出电压纹波。办
不允许该芯饱和！
功率MOSFET和肖特基二极管（可选）
选择
两个外部功率MOSFET必须选择为每个
控制器在LTC3826-1 ：一个N沟道MOSFET
顶端（主）开关，和一个N-沟道MOSFET的
底部（同步）开关。
的峰 - 峰值驱动电平由INTV设置
CC
电压。
这个电压通常在启动期间5V（见EXTV
CC
针
连接） 。因此，逻辑电平阈值的MOSFET
必须在大多数应用中使用。唯一例外的
如果是低输入电压的预期（V
IN
< 5V ） ;然后，分
逻辑电平MOSFET的阈值（V
GS （ TH）
< 3V ）应
使用。密切关注BV
DSS
特定网络连接的阳离子
MOSFET的为好;大部分的逻辑电平MOSFET的是
限于30V或更少。
对功率MOSFET的选择标准包括“ON”的
电阻R
DS （ ON）
米勒电容C
磨坊主
输入
电压和最大输出电流。米勒电容，
C
磨坊主
可以从栅极电荷曲线来近似
通常设置在MOSFET的制造商的数据
表。
磨坊主
等于增加的栅极电荷
沿水平轴，而曲线近似
佛罗里达州在通过V的特定网络版的变化划分
DS
。这个结果是
然后，通过施加V中的应用程序的比率乘以
DS
到栅极电荷曲线特定网络版V
DS
。当IC是
在连续模式中操作的工作周期为顶端
和低端MOSFET由下式给出：
主开关管的占空比
=
V
OUT
V
IN
V
IN
– V
OUT
V
IN
38261fb
接受更大的价值
ΔI
L
允许使用低
电感，但会导致较高的输出电压纹波
而更大的磁芯损耗。一个合理的起点
设置纹波电流
ΔI
L
= 0.3(I
最大
） 。最大
ΔI
L
出现在最大输入电压。
电感值也有辅助疗效。该转录
习得以突发模式工作开始时的平均
电感电流所需的结果在下面的峰值电流
由R所确定的电流极限的10％
SENSE
。低
电感值（高
ΔI
L
）会导致这种情况发生在
较低的负载电流，这可能会导致浸在英法fi效率的
该上限范围低电流操作。在突发模式
操作中，低电感值将导致脉冲串
频率降低。
电感磁芯的选择
一旦为L的值是已知的，电感器的类型必须
被选择。高英法fi转换效率一般不能
得到低成本的铁粉中发现的磁心损耗
内核，强制使用更昂贵的铁素体或钼
lypermalloy核心。实际铁心损耗是独立核心的
大小为一个固定的电感值，但它是非常依赖
在电感选择。由于电感的增加，核心
亏损下去。不幸的是，增加了电感
电线需要更多的匝数，因此铜损
将增加。
同步开关的占空比
=
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