DG535/536
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V + = 15 V ， ST ， CS = 10.5 V
参数
电源
正电源电流
电源电压范围
符号
CS = 4.5 V ，V
A
= 4.5或10.5 V
f
温度
b
房间
满
满
满
满
见图1
满
50
50
典型值
c
5
10
200
100
后缀
- 55至125℃的
民
c
最大
c
50
100
16.5
后缀
- 4085 ℃下
民
c
最大
c
50
100
16.5
单位
I+
V+
任何一个Channge ，我选择了所有
在GND或V逻辑输入+
A
V
10
200
100
最小输入时序要求
t
SW
选通脉冲宽度
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
CS ， CS ， EN
数据有效选通
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
CS ， CS ， EN
数据选通后有效
t
DW
t
WD
ns
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
A
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
400
R DS（ON ） - 漏源导通电阻（ Ω ）
R DS（ON ） - 漏源导通电阻（ Ω ）
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
2
4
6
8
10
V
D
- 漏极电压（ V）
- 55 °C
25 °C
125 °C
V+ = +15 V
GND = 0 V
300
270
240
210
180
12 V
150
120
90
60
30
0
0
2
4
6
8
10
V
D
- 漏极电压（ V）
15 V
8V
GND = 0 V
T
A
= 25 °C
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
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4
文档编号： 70070
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
