DG535/536
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V + = 15 V ， ST ， CS = 10.5 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
电阻匹配
来源OFF漏电流
漏极泄漏电流
禁止输出
数字控制
输入电压高
输入电压低
地址输入电流
地址输入电容
动态特性
PLCC
在国家输入电容
e
C
秒（上）
V
D
= V
S
= 3 V
CERQUAD
DIP
PLCC
关机状态下输入电容
e
C
S（ OFF）
V
S
= 3 V
CERQUAD
DIP
关态输出
电容
e
多路开关时间
突破前先间隔
EN ， CS ， CS ，ST ，T
ON
EN ， CS ， CS ，ST ，T
关闭
电荷注入
单信道串扰
PLCC
C
D（关闭）
t
TRANS
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
X
TALK （ SC ）
V
D
= 3 V
CERQUAD
DIP
参见图4
参见图2和3中
见图2
参见图5
R
IN
= 75
Ω,
R
L
= 75
Ω
F = 5兆赫
参见图9
R
IN
= R
L
= 75
Ω,
F = 5兆赫
EN = 4.5 V
参见图8
R
IN
= 10
Ω,
R
L
= 10 kΩ
F = 5兆赫
见图10
R
IN
= 10
Ω,
R
L
= 10 kΩ
F = 5兆赫
参见图7
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
- 35
- 100
- 93
- 60
- 85
- 84
- 60
- 92
- 87
- 72
- 74
- 74
- 60
500
兆赫
- 60
- 60
dB
25
300
150
32
35
40
2
5
3
8
12
9
300
25
300
150
pC
ns
300
20
20
55
8
55
8
pF
45
45
V
AIH
V
AIL
I
AI
C
A
V
A
= GND或V +
满
满
房间
满
满
＆ LT ; 0.01
5
10.5
-1
- 100
4.5
1
100
10.5
-1
- 100
4.5
1
100
V
A
pF
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（上）
R
关闭
I
S
= - 1毫安， V
D
= 3 V ， EN = 10.5 V
序列每个交换机上
V
S
= 3 V, V
D
= 0 V ， EN = 4.5 V
V
S
= V
D
= 3 V ， EN = 10.5 V
I
关闭
= 1毫安， EN = 10.5 V
CS = 4.5 V ，V
A
= 4.5或10.5 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
55
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
c
0
最大
c
10
90
120
9
10
100
10
1000
200
250
后缀
- 4085 ℃下
民
c
0
最大
c
10
90
120
9
10
100
- 10
- 100
200
250
单位
V
Ω
- 10
- 100
- 10
- 1000
100
- 10
- 100
- 10
- 100
nA
Ω
芯片残疾人串扰
X
TALK （ CD）
相邻输入串音
X
TALK （ AI）
一切敌对串音
带宽
e
X
TALK （ AH ）
BW
R
L
= 50
Ω,
参见图6
文档编号： 70070
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
www.vishay.com
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