IXFK140N25T
IXFX140N25T
图。 7.输入导纳
180
160
140
120
T
J
= 125C
25C
- 40C
220
200
180
160
25C
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
140
120
100
80
60
125C
100
80
60
40
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
8
250
7
10
9
V
DS
= 125V
I
D
= 70A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
200
150
100
50
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
6
5
4
3
2
1
0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
R
DS （
on
)
极限
25s
科斯
1,000
I
D
- 安培
10,000
100
100s
10
1ms
T
J
= 150C
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T
C
= 25C
单脉冲
1
1
10
100
1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
