高级技术信息
GigaMOS
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFK140N25T
IXFX140N25T
R
DS （ ON）
≤
t
rr
≤
TO- 264 （ IXFK ）
V
DSS
I
D25
=
=
250V
140A
17m
200ns
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
最大额定值
250
250
±
20
±
30
140
380
40
3
960
20
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
J
W
V / ns的
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G =门
S =源
（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
G
D
S
（ TAB ）
PLUS247 （ IXFX ）
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 264 ）
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
特点
国际标准封装
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS （ ON）
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
250
2.5
5.0
±
200
V
V
nA
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
50
A
3毫安
17 m
2009 IXYS公司，版权所有
DS100135(03/09)
