VNB14NV04 ， VND14NV04
VND14NV04-1 ， VNS14NV04
"OMNIFET II"
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
特点
TYPE
VNB14NV04
VND14NV04
VND14NV04-1
VNS14NV04
■
■
■
■
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
I
LIM
V
钳
3
3
2
TO- 252 （ DPAK ）
35 mΩ
12 A
40 V
1
TO- 251 （ IPAK ）
1
3
线性电流限制
热关断
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
通过输入引脚诊断反馈
ESD保护
直接进入电源的门
MOSFET （模拟驾驶）
兼容标准功率MOSFET
SO-8
D
2
PAK
1
描述
该
VNB14NV04 ， VND14NV04 ， VND14NV04-1和
VNS14NV04
是使用由单片器件
意法半导体的VIPower M0技术，
用于替换标准的电源
MOSFET，在直流电到50KHz的应用程序。内建的
热关断，线性电流限制和
过压钳位保护在恶劣的芯片
环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
表1中。
设备简介
管
VNB14NV04
VND14NV04
VND14NV04-1
VNS14NV04
管（无铅）
VNB14NV04-E
VND14NV04-E
VND14NV04-1-E
-
磁带和卷轴
VNB14NV0413TR
VND14NV0413TR
-
-
磁带和卷轴（无铅）
VNB14NV04TR-E
VND14NV04TR-E
-
-
包
D
2
PAK
TO- 252 （ DPAK ）
TO- 251 （ IPAK ）
SO-8
2010年4月
文档编号7393版本8
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www.st.com
1
