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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第176页 > VND14NV04
VNB14NV04 ， VND14NV04
VND14NV04-1 ， VNS14NV04
"OMNIFET II"
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
特点
TYPE
VNB14NV04
VND14NV04
VND14NV04-1
VNS14NV04
■
■
■
■
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
I
LIM
V
钳
3
3
2
TO- 252 （ DPAK ）
35 mΩ
12 A
40 V
1
TO- 251 （ IPAK ）
1
3
线性电流限制
热关断
短路保护
综合CLAMP
低电流消耗在输入PIN
通过输入引脚诊断反馈
ESD保护
直接进入电源的门
MOSFET （模拟驾驶）
兼容标准功率MOSFET
SO-8
D
2
PAK
1
描述
该
VNB14NV04 ， VND14NV04 ， VND14NV04-1和
VNS14NV04
是使用由单片器件
意法半导体的VIPower M0技术，
用于替换标准的电源
MOSFET，在直流电到50KHz的应用程序。内建的
热关断，线性电流限制和
过压钳位保护在恶劣的芯片
环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
表1中。
设备简介
管
VNB14NV04
VND14NV04
VND14NV04-1
VNS14NV04
管（无铅）
VNB14NV04-E
VND14NV04-E
VND14NV04-1-E
-
磁带和卷轴
VNB14NV0413TR
VND14NV0413TR
-
-
磁带和卷轴（无铅）
VNB14NV04TR-E
VND14NV04TR-E
-
-
包
D
2
PAK
TO- 252 （ DPAK ）
TO- 251 （ IPAK ）
SO-8
2010年4月
文档编号7393版本8
1/31
www.st.com
1
目录
VNB14NV04 ， VND14NV04 ， VND14NV04-1 ， VNS14NV04
目录
1
2
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
2.1
2.2
2.3
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
4
保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
封装热特性数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
4.1
4.2
4.3
DPAK热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
SO- 8热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
D
2
PAK热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
5
包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
ECOPACK
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
TO- 251 （ IPAK ）机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
D
2
PAK机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
TO- 252 （ DPAK ）机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
SO- 8机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
6
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
2/31
文档编号7393版本8
VNB14NV04 ， VND14NV04 ， VND14NV04-1 ， VNS14NV04
表格清单
表格清单
表1中。
表2中。
表3中。
表4 。
表5 。
表6 。
表7中。
表8 。
表9 。
表10 。
表11 。
设备摘要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
DPAK热参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
D
2
PAK热参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
TO- 251 （ IPAK ）机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
D
2
PAK机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
TO- 252 （ DPAK ）机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
SO- 8机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
文档编号7393版本8
3/31
图列表
VNB14NV04 ， VND14NV04 ， VND14NV04-1 ， VNS14NV04
图列表
图1 。
图2中。
网络连接gure 3 。
图4中。
图5中。
图6 。
图7 。
网络连接gure 8 。
图9 。
网络连接gure 10 。
图11 。
图12 。
图13 。
图14 。
图15 。
图16 。
图17 。
图18 。
图19 。
图20 。
图21 。
图22 。
图23 。
图24 。
图25 。
图26 。
图27 。
图28 。
图29 。
图30 。
图31 。
图32 。
图33 。
图34 。
图35 。
图36 。
图37 。
图38 。
图39 。
图40 。
图41 。
图42 。
图43 。
图44 。
图45 。
图46 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电流和电压的约定。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
开关时间测试电路的阻性负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
测试电路的二极管的恢复时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
非钳位电感负载测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
非钳位电感的波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
输入电荷测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
源极 - 漏极二极管的正向特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
静态漏源导通电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
降额曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
导通电阻与输入电压静态漏源极（部分1/2） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
导通电阻与输入电压静态漏源极（部分2/2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
跨导。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
导通电阻与标识静态漏源。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
传输特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
导通电流的斜率（部分1/2） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
导通电流斜率（部分2/2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
输入电压与输入电荷。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
关断漏源电压斜率（部分1/2） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
关断漏源电压斜率（部分2/2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
电容变化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
切换时间阻性负载（部分1/2） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
切换时间阻性负载（部分2/2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
输出特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
归一通电阻与温度的关系。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
归一化的输入阈值电压与温度的关系。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
电流限制与结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
阶跃响应电流限制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
DPAK最大关断电流与负载电感。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
DPAK退磁。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
D
2
PAK最大关断电流与负载电感。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
D
2
PAK退磁。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
DPAK PC板
(1)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
DPAK
THJ - AMB
VS PCB的覆铜面积在打开框中，免费空调。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
DPAK封装的热阻抗交界处的环境单脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
一个OMNIFET II在DPAK热拟合模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
SO- 8 PC板
(1)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
SO - 8 R
THJ - AMB
VS PCB的覆铜面积在打开框中，免费空调。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
D
2
PAK PC板
(1)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
D
2
PAK
THJ - AMB
VS PCB的覆铜面积在打开框中，免费空调。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
D
2
PAK热阻抗交界处的环境单脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
一个OMNIFET II D中的热拟合模型
2
PAK 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
TO- 251 （ IPAK ）封装尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
D
2
PAK封装尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
TO- 252 （ DPAK ）封装尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
SO- 8封装的尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
4/31
文档编号7393版本8
VNB14NV04 ， VND14NV04 ， VND14NV04-1 ， VNS14NV04
框图
1
框图
图1 。
框图
文档编号7393版本8
5/31
VNB14NV04 / VND14NV04
/
VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
“ OMNIFET II ” ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
TYPE
VNB14NV04
VND14NV04
VND14NV04-1
VNP14NV04
VNS14NV04
R
DS （ ON）
I
LIM
V
钳
3
1
35 m
12 A
40 V
TO- 252 （ DPAK ）
SO-8
3
3
2
1
线性电流限制
s
热关机
s
短路保护
s
综合CLAMP
s
低电流消耗在输入PIN
s
诊断反馈通过投入
针
s
ESD保护
s
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
s
兼容标准电源
MOSFET
s
1
2
TO-220
TO- 251 （ IPAK ）
D
2
PAK
3
1
订购代码
管
T&R
VNB14NV04
VNB14NV0413TR
D
TO- 252 （ DPAK ） VND14NV04
VND14NV0413TR
TO- 251 （ IPAK ） VND14NV04-1
-
2
PAK
包
TO-220
SO-8
VNP14NV04
VNS14NV04
-
-
描述
该VNB14NV04 ， VND14NV04 ， VND14NV04-1 ，
VNP14NV04 ， VNS14NV04 ，是单片
设计意法半导体的VIPower设备
M0-3技术，用于更换
从直流标准电源MOSFET，高达50kHz
框图
应用程序。内置热关断，线性
电流限制
|和
过压钳位保护
该芯片在恶劣的环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
漏
2
过压
钳
输入
1
门
控制
过度
温度
线性
当前
限
3
来源
2004年3月
1/29
1
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
IN
I
IN
R
在MIN
I
D
I
R
V
ESD1
V
ESD2
P
合计
E
最大
T
j
T
c
T
英镑
参数
漏源电压（V
IN
=0V)
输入电压
输入电流
最小输入阻抗系列
漏电流
反向DC输出电流
静电放电（ R = 1.5KΩ ， C = 100pF的）
只输出引脚的静电释放
（ R = 330Ω ， C = 150pF的）
总功耗在T
c
=25°C
最大开关能量（ L = 0.4mH ;
R
L
=0; V
BAT
= 13.5V ;牛逼
的jStart
= 150℃ ;我
L
=18A)
工作结温
情况下的工作温度
储存温度
SO-8
价值
DPAK
TO-220
IPAK
内部钳位
内部钳位
+/-20
10
内部限制
-15
4000
16500
4.6
74
93
内部限制
内部限制
-55到150
74
74
74
93
D
2
PAK
单位
V
V
mA
A
A
V
V
W
mJ
°C
°C
°C
连接图（ TOP VIEW ）
SO - 8封装（ * ）
来源
来源
来源
输入
1
8
漏
漏
漏
4
5
漏
（* ）为销的配置有关的DPAK ，D-
2
PAK ， IPAK ， TO- 220见概述第1页。
电流和电压公约
I
D
V
DS
漏
I
IN
R
IN
输入
来源
V
IN
2/29
1
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ铅
R
THJ - AMB
(*)
当
参数
热阻结案件
最大
热阻结铅
最大
热阻结到环境最大
SO-8
27
90 (*)
DPAK
1.7
65 (*)
价值
TO-220
1.7
62
IPAK
1.7
102
D
2
PAK
1.7
52 (*)
单位
° C / W
° C / W
° C / W
安装在一个标准的单面FR4板0.5厘米
2
铜（至少35个
m
厚）连接到所有漏引脚。
水平安装，也没有人为的空气流动。
电气特性
（ -40°C <牛逼
j
< 150℃，除非另有规定）
关闭
符号
V
钳
V
CLTH
V
INTH
I
国际空间站
V
INCL
I
DSS
参数
漏极 - 源极钳位
电压
漏极 - 源极钳位
阈值电压
输入阈值电压
从输入电源电流
针
输入源钳位
电压
零输入电压漏
电流（V
IN
=0V)
测试条件
V
IN
= 0V ;我
D
=7A
V
IN
= 0V ;我
D
=2mA
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
V
DS
=0V; V
IN
=5V
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
V
DS
=13V; V
IN
= 0V ;牛逼
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
6
-1.0
民
40
36
0.5
100
6.8
2.5
150
8
-0.3
30
75
典型值
45
最大
55
单位
V
V
V
A
V
A
ON
符号
R
DS （ ON）
参数
静态漏源
阻力
测试条件
V
IN
= 5V ;我
D
= 7A ;牛逼
j
=25°C
V
IN
= 5V ;我
D
=7A
民
典型值
最大
35
70
单位
m
3/29
1
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
电气特性
（续） （T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
动态
符号
g
fs
(*)
C
OSS
参数
前锋
跨
输出电容
测试条件
V
DD
= 13V ;我
D
=7A
V
DS
= 13V ; F = 1MHz的; V
IN
=0V
民
典型值
18
400
最大
单位
S
pF
开关
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通电流斜率
总的输入充电
测试条件
V
DD
= 15V ;我
D
=7A
V
根
= 5V ;
根
=R
在MIN
=10
（参见图1）
V
DD
= 15V ;我
D
=7A
V
根
= 5V ;
根
=2.2K
（参见图1）
V
DD
= 15V ;我
D
=7A
V
根
= 5V ;
根
=R
在MIN
=10
V
DD
= 12V ;我
D
= 7A ; V
IN
= 5V ;我
根
=2.13mA
（见图5）
民
典型值
80
350
450
150
1.5
9.7
9
10.2
16
36.8
最大
250
1000
1350
500
4.5
30.0
25.0
30.0
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
A / μs的
nC
源漏二极管
符号
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
SD
= 7A ; V
IN
=0V
I
SD
= 7A ;的di / dt = 40A / μs的
V
DD
= 30V ; L = 200μH
民
典型值
0.8
300
0.8
5
最大
单位
V
ns
C
A
反向恢复电流（见测试电路，图2）
栅栏（ -40°C <牛逼
j
< 150℃，除非另有规定）
符号
I
LIM
t
DLIM
T
JSH
T
JRS
I
gf
E
as
参数
漏电流限制
阶跃响应电流
极限
过热
关闭
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
测试条件
V
IN
=5V; V
DS
=13V
V
IN
=5V; V
DS
=13V
民
12
典型值
18
45
150
135
10
400
175
200
最大
24
单位
A
s
°C
°C
mA
mJ
V
IN
=5V; V
DS
= 13V ;牛逼
j
=T
JSH
起始物为
j
= 25°C ; V
DD
=24V
V
IN
= 5V ;
根
=R
在MIN
= 10Ω ; L = 24mH
（参见图3 & 4）
15
20
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/29
2
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
通过一个低阻抗路径的功率MOSFET 。
那么该设备就像一个标准的电源
MOSFET和可被用作从直流开关
为50kHz。从用户的唯一的区别
观点出发是一个小直流电流I
国际空间站
（典型值。
100
A）流入输入引脚，以供应
的内部电路。
该器件集成：
- 过电压钳位保护：
内部设定为45V ，随着崎岖
功率MOSFET的雪崩特性
舞台给这个设备无与伦比的耐用性和
能量处理能力。此功能主要是
重要的驱动感性负载时。
- 线性电流限制电路：
限制了漏极电流I
D
到我
LIM
无论
输入引脚的电压。当限流器是
活性，器件工作在线性区域中，所以
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，与结温
增加，并且如果这个阶段持续足够长的时间，
连接点
温度
五月
到达
该
过热阈值T
JSH
.
- 过热和短路
保护：
这些是基于感测芯片的温度
并且不依赖于输入电压。该
传感元件在芯片上的位置
功率级区域，确保快速，准确的检测
的结温。过热
切口发生在范围为150 190℃ ，典型
值是170℃。该设备是自动
当芯片温度下降约重启
15 ℃以下，停机的温度。
- 状态反馈信号：
在过温故障状态的情况下
(T
j
＆ GT ;吨
JSH
） ，设备会尝试下沉诊断
电流I
gf
通过输入引脚，以
指示故障状态。如果从低驱动
阻抗源，该电流可以被用于
以警告的装置的控制电路
关机。如果驱动器的阻抗足够高
使得输入引脚驱动器不能够提供
目前我
gf
，在输入引脚将降至0V 。
这
不会但是影响设备的操作：
不要求被放置在所述电流能力
以外的输入引脚驱动器，以便能够
供正常运行的驱动电流I
国际空间站
.
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
并从一个TTL逻辑驱动能力
电路。
5/29
VNB14NV04 / VND14NV04
/
VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
“ OMNIFET II ” ：
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET
TYPE
VNB14NV04
VND14NV04
VND14NV04-1
VNP14NV04
VNS14NV04
R
DS （ ON）
I
LIM
V
钳
3
1
35 m
12 A
40 V
TO- 252 （ DPAK ）
SO-8
3
3
2
1
线性电流限制
s
热关机
s
短路保护
s
综合CLAMP
s
低电流消耗在输入PIN
s
诊断反馈通过投入
针
s
ESD保护
s
直接进入之门
功率MOSFET （模拟驱动）
s
兼容标准电源
MOSFET
s
1
2
TO-220
TO- 251 （ IPAK ）
D
2
PAK
3
1
订购代码
包
管
T&R
VNB14NV04
VNB14NV0413TR
PAK
TO- 252 （ DPAK ） VND14NV04
VND14NV0413TR
TO- 251 （ IPAK ） VND14NV04-1
-
2
TO-220
SO-8
VNP14NV04
VNS14NV04
-
-
描述
该VNB14NV04 ， VND14NV04 ， VND14NV04-1 ，
VNP14NV04 ， VNS14NV04 ，是单片
设计意法半导体的VIPower设备
M0-3技术，用于更换
从直流标准电源MOSFET，高达50kHz
框图
应用程序。内置热关断，线性
电流限制
|和
过压钳位保护
该芯片在恶劣的环境。
故障的反馈可以通过监视来检测
电压在输入引脚。
漏
2
过压
钳
输入
1
门
控制
过度
温度
线性
当前
限
3
来源
2003年7月
1/29
1
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
IN
I
IN
R
在MIN
I
D
I
R
V
ESD1
V
ESD2
P
合计
E
最大
T
j
T
c
T
英镑
参数
漏源电压（V
IN
=0V)
输入电压
输入电流
最小输入阻抗系列
漏电流
反向DC输出电流
静电放电（ R = 1.5KΩ ， C = 100pF的）
只输出引脚的静电释放
（ R = 330Ω ， C = 150pF的）
总功耗在T
c
=25°C
最大开关能量（ L = 0.4mH ;
R
L
=0; V
BAT
= 13.5V ;牛逼
的jStart
= 150℃ ;我
L
=18A)
工作结温
情况下的工作温度
储存温度
SO-8
价值
DPAK
TO-220
IPAK
内部钳位
内部钳位
+/-20
10
内部限制
-15
4000
16500
4.6
74
93
内部限制
内部限制
-55到150
74
74
74
93
D
2
PAK
单位
V
V
mA
A
A
V
V
W
mJ
°C
°C
°C
连接图（ TOP VIEW ）
SO - 8封装（ * ）
来源
来源
来源
输入
1
8
漏
漏
漏
4
5
漏
（* ）为销的配置有关的DPAK ，D-
2
PAK ， IPAK ， TO- 220见概述第1页。
电流和电压公约
I
D
V
DS
漏
I
IN
R
IN
输入
来源
V
IN
2/29
1
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ铅
R
THJ - AMB
(*)
当
参数
热阻结案件
最大
热阻结铅
最大
热阻结到环境最大
SO-8
27
90 (*)
DPAK
1.7
65 (*)
价值
TO-220
1.7
62
IPAK
1.7
102
D
2
PAK
1.7
52 (*)
单位
° C / W
° C / W
° C / W
安装在一个标准的单面FR4板0.5厘米
2
铜（至少35个
m
厚）连接到所有漏引脚。
水平安装，也没有人为的空气流动。
电气特性
（ -40°C <牛逼
j
< 150℃，除非另有规定）
关闭
符号
V
钳
V
CLTH
V
INTH
I
国际空间站
V
INCL
I
DSS
参数
漏极 - 源极钳位
电压
漏极 - 源极钳位
阈值电压
输入阈值电压
从输入电源电流
针
输入源钳位
电压
零输入电压漏
电流（V
IN
=0V)
测试条件
V
IN
= 0V ;我
D
=7A
V
IN
= 0V ;我
D
=2mA
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
V
DS
=0V; V
IN
=5V
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
V
DS
=13V; V
IN
= 0V ;牛逼
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
6
-1.0
民
40
36
0.5
100
6.8
2.5
150
8
-0.3
30
75
典型值
45
最大
55
单位
V
V
V
A
V
A
ON
符号
R
DS （ ON）
参数
静态漏源
阻力
测试条件
V
IN
= 5V ;我
D
= 7A ;牛逼
j
=25°C
V
IN
= 5V ;我
D
=7A
民
典型值
最大
35
70
单位
m
3/29
1
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
电气特性
（续） （T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
动态
符号
g
fs
(*)
C
OSS
参数
前锋
跨
输出电容
测试条件
V
DD
= 13V ;我
D
=7A
V
DS
= 13V ; F = 1MHz的; V
IN
=0V
民
典型值
18
400
最大
单位
S
pF
开关
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（ di / dt的）
on
Q
i
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通电流斜率
总的输入充电
测试条件
V
DD
= 15V ;我
D
=7A
V
根
= 5V ;
根
=R
在MIN
=10
（参见图1）
V
DD
= 15V ;我
D
=7A
V
根
= 5V ;
根
=2.2K
（参见图1）
V
DD
= 15V ;我
D
=7A
V
根
= 5V ;
根
=R
在MIN
=10
V
DD
= 12V ;我
D
= 7A ; V
IN
= 5V ;我
根
=2.13mA
（见图5）
民
典型值
80
350
450
150
1.5
9.7
9
10.2
16
36.8
最大
250
1000
1350
500
4.5
30.0
25.0
30.0
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
A / μs的
nC
源漏二极管
符号
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
SD
= 7A ; V
IN
=0V
I
SD
= 7A ;的di / dt = 40A / μs的
V
DD
= 30V ; L = 200μH
民
典型值
0.8
300
0.8
5
最大
单位
V
ns
C
A
反向恢复电流（见测试电路，图2）
栅栏（ -40°C <牛逼
j
< 150℃，除非另有规定）
符号
I
LIM
t
DLIM
T
JSH
T
JRS
I
gf
E
as
参数
漏电流限制
阶跃响应电流
极限
过热
关闭
过热复位
故障灌电流
单脉冲
雪崩能量
测试条件
V
IN
=5V; V
DS
=13V
V
IN
=5V; V
DS
=13V
民
12
典型值
18
45
150
135
10
400
175
200
最大
24
单位
A
s
°C
°C
mA
mJ
V
IN
=5V; V
DS
= 13V ;牛逼
j
=T
JSH
起始物为
j
= 25°C ; V
DD
=24V
V
IN
= 5V ;
根
=R
在MIN
= 10Ω ; L = 24mH
（参见图3 & 4）
15
20
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/29
2
VNB14NV04 / VND14NV04 / VND14NV04-1 / VNP14NV04 / VNS14NV04
保护功能
在正常操作时，输入引脚
电连接到所述内部的栅
通过一个低阻抗路径的功率MOSFET 。
那么该设备就像一个标准的电源
MOSFET和可被用作从直流开关
为50kHz。从用户的唯一的区别
观点出发是一个小直流电流I
国际空间站
（典型值。
100
A）流入输入引脚，以供应
的内部电路。
该器件集成：
- 过电压钳位保护：
内部设定为45V ，随着崎岖
功率MOSFET的雪崩特性
舞台给这个设备无与伦比的耐用性和
能量处理能力。此功能主要是
重要的驱动感性负载时。
- 线性电流限制电路：
限制了漏极电流I
D
到我
LIM
无论
输入引脚的电压。当限流器是
活性，器件工作在线性区域中，所以
功耗可能超过的能力
散热器。这两种情况下，与结温
增加，并且如果这个阶段持续足够长的时间，
连接点
温度
五月
到达
该
过热阈值T
JSH
.
- 过热和短路
保护：
这些是基于感测芯片的温度
并且不依赖于输入电压。该
传感元件在芯片上的位置
功率级区域，确保快速，准确的检测
的结温。过热
切口发生在范围为150 190℃ ，典型
值是170℃。该设备是自动
当芯片温度下降约重启
15 ℃以下，停机的温度。
- 状态反馈信号：
在过温故障状态的情况下
(T
j
＆ GT ;吨
JSH
） ，设备会尝试下沉诊断
电流I
gf
通过输入引脚，以
指示故障状态。如果从低驱动
阻抗源，该电流可以被用于
以警告的装置的控制电路
关机。如果驱动器的阻抗足够高
使得输入引脚驱动器不能够提供
目前我
gf
，在输入引脚将降至0V 。
这
不会但是影响设备的操作：
不要求被放置在所述电流能力
以外的输入引脚驱动器，以便能够
供正常运行的驱动电流I
国际空间站
.
该器件的其他特点是ESD
根据人体模型保护
并从一个TTL逻辑驱动能力
电路。
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