U63764
一旦该序列中的第六个地址已
输入后， STORE周期将开始和芯片
将被禁用。读取周期，这是很重要的
不写周期序列中使用，尽管它
没有必要使G是低的顺序是
有效的。之后的T
商店
周期已经满足，
SRAM将再次进行读取和写入启动
操作。当V
CC
＆ LT ; V
开关
所有的软件商店
操作将被禁止。
在V后所要求的任何SRAM写周期
CC
针
低于V
开关
将被禁止。
在内部，召回是一个两步的过程。首先，将
SRAM的数据被清除，并且第二非易失性
信息被传输到SRAM单元。后
t
（E ）R
周期时间的SRAM将再次准备好
READ和WRITE operations.The RECALL操作
以任何方式改变在EEPROM单元中的数据。该
非易失性数据可以被调用任意数量的
次。
较低的平均有功功率
当E为高电平时，芯片仅消耗待机电流
租。
通过该部分得出的总平均电流取决于
对以下项目：
1. CMOS或TTL电平输入
2.时间在此期间，芯片被禁止（E高）
3.周期时间访问（E LOW ）
4的读写比
5.操作温度
6， V
CC
水平
软件非易失性召回
EEPROM数据的召回循环到SRAM
启动与读取操作的顺序
方式类似于STORE启动。要启动
RECALL周期读操作的顺序如下
业必须被执行：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0E
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
启动召回
周期
沙头角管制＃ ML0055
12
1.0版
2006年3月31日
