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特定网络阳离子
表2-11 。
号
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
注意事项：
DRAM超出页面和刷新计时，十一个等待状态
1,2
（续）
特征
符号
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
WCS
t
企业社会责任
t
RPC
t
ROH
t
GA
t
GZ
0.75
×
T
C
– 1.5
0.25
×
T
C
表达
3
1.75
×
T
C
4.0
0.75
×
T
C
4.0
5.25
×
T
C
4.0
7.75
×
T
C
4.0
6
×
T
C
4.0
3.0
×
T
C
4.0
1.75
×
T
C
– 3.7
0.25
×
T
C
2.0
5
×
T
C
4.2
7.5
×
T
C
4.2
11.5
×
T
C
4.5
11.75
×
T
C
4.3
10.25
×
T
C
4.3
5.75
×
T
C
4.0
5.25
×
T
C
4.0
7.75
×
T
C
4.0
6.5
×
T
C
4.3
1.5
×
T
C
4.0
2.75
×
T
C
4.0
11.5
×
T
C
4.0
10
×
T
C
7.0
100兆赫
单位
13.5
3.5
48.5
73.5
56.0
26.0
13.8
0.5
45.8
70.8
110.5
113.2
98.2
53.5
48.5
73.5
60.7
11.0
23.5
111.0
—
0.0
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
93.0
—
—
2.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
RAS断言行地址无效
列地址有效到CAS断言
CAS断言到列地址无效
RAS断言到列地址无效
列地址有效到RAS的无效
WR无效到CAS断言
CAS无效到WR
4
断言
RAS无效到WR
4
断言
CAS断言WR的无效
RAS断言WR的无效
WR断言脉冲宽度
WR断言RAS的无效
WR断言CAS的无效
数据有效到CAS断言（写）
CAS断言数据无效（写入）
RAS断言数据无效（写入）
WR断言CAS断言
CAS断言RAS断言（刷新）
RAS无效到CAS断言（刷新）
RD断言RAS的无效
RD断言到数据有效
RD无效到数据无效
5
WR断言活动数据
WR无效到数据高阻抗
1.
2.
3.
4.
5.
被指定在DRAM控制寄存器等待状态的超出页面的访问次数。
刷新周期被指定在DRAM控制寄存器。
使用表达式来计算所列出的最大值或最小值（或两者如果表达式包括
±)
.
要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足读周期。
RD的无效总是发生CAS的无效之后;因此，受限制的定时是叔
关闭
而不是吨
GZ
.
DSP56303技术数据，第11
2-20
飞思卡尔半导体公司
由于从美国国际贸易委员会的命令， BGA封装生产线和部分数字表示这里目前没有
DSP56303VF100 ， DSP56303VL100 ：在美国进口或销售至2010年9月之前，可从飞思卡尔
民
最大
