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AC电气特性
2.5.5.2 DRAM时序
由于从美国国际贸易委员会的命令， BGA封装生产线和部分数字表示这里目前没有
DSP56303VF100 ， DSP56303VL100 ：在美国进口或销售至2010年9月之前，可从飞思卡尔
在选择指南
图2-14
和
图2-17
对于只有小学选择。最后的选择应根据
于下表中的定时。例如，选购指南表明，四个等待状态，必须使用
与页模式DRAM 100 MHz的操作。然而，咨询相应的表，设计人员可以评估
是否较少的等待状态可以通过确定哪些时间足够阻止运行在100MHz ，运行
芯片在稍低的频率（例如95兆赫） ，通过使用更快的DRAM （如果可用） ，以及
操纵控制的因素，例如电容性和电阻性负载，提高整个系统的性能。
DRAM类型
（ TRAC NS ）
注意：
该图应被用于初级选择。对于准确
而详细的时序，请参见下面的表格。
100
80
70
60
50
40
66
80
100
120
芯片频率
（兆赫）
1等待状态
2等待状态
3等待状态
4等待状态
图2-14 。
DRAM页模式等待状态选择指南
DSP56303技术数据，第11
飞思卡尔半导体公司
2-15
