HX6356
DC电气特性
符号
IDDSB1
参数
静态电源电流
典型的最坏情况（ 2 ）
单位
(1)
民
最大
0.2
0.2
3.4
2.8
-1
-1
CMOS
TTL
CMOS
TTL
1.7
1.5
1.5
4.0
4.0
+1
+1
0.3xV
DD
测试条件
VIH = VDD ， IO = 0
VIL = VSS ， F = 0MHz处
NCS = VDD ， IO = 0 ，
F = 40MHz的
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS （ 3 ）
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS （ 3 ）
VSS≤VI≤VDD
VSS≤VIO≤VDD
输出=高阻
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
IDDSBMF待机电源电流 - 取消选择
IDDOPW
IDDopr
II
IOZ
VIL
动态电源电流，选择
（写）
动态电源电流，选择
（READ ）
输入漏电流
输出漏电流
低电平输入电压
0.8
3.2
0.3
0.005
0.7xV
DD
三月模式
VDD = 4.5V
三月模式
VDD = 5.5V
VDD = 4.5V ， IOL = 10毫安
（ CMOS）的
= 8毫安
（ TTL）的
VDD = 4.5V ， IOL = 200
A
VDD = 4.5V ， IOH = -5毫安
VDD = 4.5V ， IOH = -200
A
VIH
高电平输入电压
2.2
0.4
0.1
4.2
V
DD
-0.1
VOL
低电平输出电压
V
V
V
V
VOH
高电平输出电压
4.3
4.5
（ 1 ）典型工作条件： VDD = 5.0 V ， TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏的情况下，工作条件： VDD = 4.5 V至5.5 V ， -55 ° C至+ 125°C ，后总剂量为25 ℃。
（3）所有的输入开关。直流平均电流。
2.9 V
Vref1
249
DUT
产量
Vref2
+
-
有效的高
产量
+
-
有效的低
产量
CL >50 pF的*
* CL = 5 pF适用于TWLQZ ， TSHQZ ， TELQZ和TGHQZ
测试仪的等效负载电路
5
