航天电子
32K x 8静态RAM - SOI
特点
辐射
与RICMOS捏造
第四绝缘体上硅（ SOI）的
0.75
m
过程（L
EFF
= 0.6
m)
总剂量硬度通过1×10拉德（SIO
2
)
中子通过硬度1×10
14
cm
-2
典型工作功耗< 15毫瓦/兆赫
动态和静态瞬态底价硬度
通过1×10
11
RAD （SI ） / S
剂量率生存能力通过1×10
12
RAD （SI ） / S
对＆ LT软错误率; 1×10
-10
冷门/位天
地球同步轨道
闭锁免费
异步操作
CMOS或TTL兼容的I / O
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
6
HX6356
其他
上市SMD ＃ 5962-95845
快速读/写周期时间
≤
17纳秒（典型值）
≤
25纳秒（ -55 125°C ）
包装选项
- 36引脚CFP-底钎焊（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
- 36引脚CFP顶钎焊（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
概述
在32K ×8抗辐射静态RAM是一种高
性能32,768字×8位的静态随机存取
内存与行业标准的功能。据制作
与霍尼韦尔的抗辐射技术，是
在恶劣的作业系统设计的使用，瞬时
辐射环境。该内存工作在全
军用温度范围，并且只需要一个5 V单
±
10 ％的电力供应。 RAM是可与TTL或
CMOS兼容的I / O 。功耗通常少
超过15毫瓦/ MHz的工作时，与小于5毫瓦时
取消选择。 RAM中读操作完全asynchro-
理性，以14 ns的电压为5V的相关的典型访问时间。
霍尼韦尔增强型SOI RICMOS
IV（辐射Insen-
sitive CMOS）技术是通过辐射硬化
采用先进的和专有的设计，布局和亲
塞斯硬化技术。该RICMOS
第四方法是
5伏， SIMOX CMOS技术具有150埃的栅极氧化
和0.75的最小拉伸特征尺寸
m
(0.6
m
有效栅长-L
EFF
） 。其他功能还包括
通过插头钨，霍尼韦尔的专利SHARP安慰剂
narization过程，和一个轻掺杂漏（ LDD） struc-
TURE以改善短通道的可靠性。 A 7晶体管
（ 7T ）存储单元是用于高级单粒子翻转
硬化，而三层金属电源布辛和
低收集量SIMOX基板提供改进
剂量率硬化。
