飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频/甚高频功率晶体管
BLW50F
手册， halfpage
20
MGP475
手册， halfpage
50
MGP476
Gp
20
Gp
（ dB）的
d3, d5
（ dB）的
η
dt
(%)
η
dt
30
d3
25
10
d5
40
0
0
25
50
P.E.P. （W）的
75
0
25
50
P.E.P. （W）的
0
75
V
CE
= 50 V ;我
C（ ZS ）
= 50毫安; F
1
= 28000兆赫;
f
2
= 28001兆赫;牛逼
h
= 25
°C;
典型值。
V
CE
= 50 V ;我
C（ ZS ）
= 50毫安; F
1
= 28000兆赫;
f
2
= 28001兆赫;牛逼
h
= 25
°C;
典型值。
图11的互调失真的函数
输出功率
(1)
.
图12双色调的效率和功率增益为
函数的输出功率。
坚固耐用的s.s.b.手术
该BLW50F能够承受满负载失配的
（VSWR = 50通过所有阶段）高达45瓦（ PEP）的下
满足下列条件：
V
CE
= 50 V ; F
1
= 28000兆赫; F
2
= 28001兆赫;牛逼
h
= 70
°C;
R
日MB -H
= 0.3 K / W 。
1986年8月
9
