飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频/甚高频功率晶体管
描述
N-P - N型硅平面外延
晶体管主要用于在使用
A类， AB和B运行，工业
在H.F.和军事变送器
和v.h.f.乐队。阻力
稳定提供保障
对在重度负载设备损坏
不匹配的情况。匹配
h
FE
团体可根据要求提供。
它有一个8"分之3法兰信封一个
陶瓷帽。所有的线索都隔离
从凸缘。
BLW50F
快速参考数据
R.F.性能
操作模式
s.s.b. （ A类）
s.s.b. （ AB类）
记
1.在65W P.E.P.
引脚配置
halfpage
V
CE
V
45
50
f
兆赫
1,6 - 28
1,6 - 28
P
L
W
0 - 16 （ P.E.P. ）
＆ GT ;
G
p
dB
19,5
η
dt
%
I
C
A
1,2
I
C（ ZS ）
mA
50
＆ LT ;
d
3
dB
40
典型值。
30
T
h
°C
70
25
10 - 65 （ P.E.P. ）典型值。 18
（典型值） 。 45
(1)
1,45
钉扎 - SOT123
针
1
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
1
4
c
手册， halfpage
2
3
4
e
b
MBB012
2
3
MSB057
Fig.1简化外形和符号。
产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全
安全规定， BeO的光盘不被损坏。
1986年8月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频/甚高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
集电极 - 发射极击穿电压
V
BE
= 0; I
C
= 25毫安
集电极 - 发射极击穿电压
开基;我
C
= 100毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极开路;我
E
= 10毫安
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 55 V
二次击穿能量; L = 25 mH的; F = 50赫兹
开基
R
BE
= 10
直流电流增益
(1)
I
C
= 1,2 A; V
CE
= 5 V
匹配器件的直流电流增益比
(1)
I
C
= 1,2 A; V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
I
C
= 3,0 A;我
B
= 0,6 A
跃迁频率在f = 100 MHz的
(1)
I
E
= 1,2 A; V
CB
= 45 V
I
E
= 4.0 A; V
CB
= 45 V
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 45 V
反馈电容在f = 1 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 45 V
集电极 - 佛罗里达州安格电容
记
脉冲条件下测得的1 ：吨
p
≤
200
s; δ ≤
0,02.
C
re
C
cf
典型值。
典型值。
C
c
典型值。
f
T
f
T
典型值。
典型值。
V
CESAT
典型值。
h
FE1
/h
FE2
＆ LT ;
h
FE
E
SBO
E
丁苯橡胶
＆ GT ;
＆ GT ;
I
CES
＆ LT ;
V
（ BR ） EBO
＆ GT ;
V
（ BR ） CEO
＆ GT ;
V
（ BR ） CES
＆ GT ;
BLW50F
110 V
55 V
4 V
10毫安
8兆焦耳
8兆焦耳
（典型值） 。 25
15至100
1,2
1,2 V
490兆赫
540兆赫
53 pF的
35 pF的
2 pF的
1986年8月
4
QQ：2881677436 复制
