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23X256
2.5
读状态寄存器指令
（ RDSR ）
模式位指示的操作模式
SRAM 。操作的可能模式是：
0 0
=字节模式（默认操作）
1 0
- 页面模式
0 1
=顺序模式
1 1
保留
读写命令显示在
图2-7
和
图2-8 。
在HOLD位使能HOLD引脚功能。它必须
HOLD引脚前设置为“0”所带来的低HOLD
功能才能正常工作。 HOLD设置为“1”禁用
功能。
位1至5保留，应始终设置
为“0” 。
SEE
图2-7
对于
RDSR
时序。
读状态寄存器指令（ RDSR ）提供
访问状态寄存器。 STATUS寄存器
可以在任何时候被读出。状态寄存器是
格式如下：
表2-2：
7
W / R
6
W / R
状态寄存器
5
–
0
4
–
0
3
–
0
2
–
0
1
–
0
0
W / R
HOLD
模式模式
W / R =可读/写。
图2-7：
CS
读状态寄存器时序分析（ RDSR ）
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
指令
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
从状态寄存器的数据
7
6
5
4
3
2
1
0
高阻抗
SO
2010 Microchip的技术公司
DS22100E第11页
