ZMY3V9到ZMY100
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
对于stablilizing和限幅电路用
e2
具有高的额定功率
齐纳电压等级根据
国际E 24标准。较小的电压
公差可根据要求提供
这些二极管也可在DO41情况下可
同类型指定ZPY3V9到ZPY100
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18315
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 135毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（12毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 5 K.
每7"卷轴（12毫米磁带） ， 12 K /盒GS08 / 1.5
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
P
合计
价值
1.0
1)
单位
W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
热阻结到外壳
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
R
thJC
T
j
T
英镑
价值
170
1)
60
175
- 55 + 175
单位
K / W
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85788
修订版1.7 ， 07 - 8 - 06
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