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ZMY3V9到ZMY100
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
对于stablilizing和限幅电路用
e2
具有高的额定功率
齐纳电压等级根据
国际E 24标准。较小的电压
公差可根据要求提供
这些二极管也可在DO41情况下可
同类型指定ZPY3V9到ZPY100
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18315
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 135毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（12毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 5 K.
每7"卷轴（12毫米磁带） ， 12 K /盒GS08 / 1.5
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
P
合计
价值
1.0
1)
单位
W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
热阻结到外壳
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
R
thJC
T
j
T
英镑
价值
170
1)
60
175
- 55 + 175
单位
K / W
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85788
修订版1.7 ， 07 - 8 - 06
www.vishay.com
1
ZMY3V9到ZMY100
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压（ 2）
动态电阻
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
α
VZ
在我
ZT
10
-4
/°C
典型值
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
4
4
4
2
1
1
1
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
25
30
35
40
45
50
60
65
70
80
120
130
民
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
最大
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
TEST
当前
I
ZT
mA
反向电压
受理的齐纳
当前
1)
V
R
at
I
R
= 0.5 A
V
I
Z
at
T
AMB
= 25 °C
mA
V
Z
在我
ZT
V
民
ZMY3V9
ZMY4V3
ZMY4V7
ZMY5V1
ZMY5V6
ZMY6V2
ZMY6V8
ZMY7V5
ZMY8V2
ZMY9V1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
1)
2)
r
zj
在我
ZT
中，f = 1千赫
Ω
最大
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
有效的条件是电极被保持在环境温度
测试了脉冲吨
p
= 5毫秒
www.vishay.com
2
文档编号85788
修订版1.7 ， 07 - 8 - 06
ZMY3V9到ZMY100
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
Ω
10
3
5
4
3
2
ZMY ...
W
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
ZMY ...
r
zj
10
2
ZMY5.1
5
4
3
2
P
合计
ZMY4.3
ZMY18
ZMY12
10
5
4
3
2
ZMY6.2
ZMY10
ZMY7.5
2
3 4 5
7
1
1
18312
2
0
0
19969
3 4 5 7
10
百毫安
100
T
AMB
200 °C
I
Z
图1.动态电阻与齐纳电流
图4.容许功耗与环境温度
Ω
100
7
5
4
3
2
ZMY ...
° C / W
10
3
5
4
3
2
ZMY ...
r
zj
r
THA
ZMY43
ZMY36
10
2
5
4
3
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
=0
-4
10
7
5
4
3
2
ZMY30
ZMY24
ZMY22
10
5
4
3
2
ZMY18
t
P
v
=
T
P
___
t
T
P
I
1
1
18313
2
3 4 5
1
10
2
3 4 5
百毫安
18286
10
-5
10
10
-3
10
-2
10
-1
t
P
1
10 s
I
Z
图2.动态电阻与齐纳电流
图5.脉冲热电阻与脉冲宽度
Ω
10
3
7
5
4
3
2
ZMY ...
r
zj
10
2
7
5
4
3
2
ZMY100
ZMY82
ZMY68
ZMY56
ZMY43
10
0.1
18314
2
3 4 5
1
2
3 4 5
10毫安
I
Z
图3.动态电阻与齐纳电流
文档编号85788
修订版1.7 ， 07 - 8 - 06
www.vishay.com
3
ZMY3V9到ZMY100
威世半导体
mA
240
200
I
Z
160
120
80
50毫安
测试电流l
Z
百毫安
ZMY3.9 ZMY4.7
ZMY5.6
ZMY6.8
ZMY8.2
ZMY10
ZMY ...
T
j
= 25 °C
mA
20
ZMY56
ZMY ...
TJ = 25 C
I
Z
测试电流l
Z
10毫安
ZMY68
ZMY82
ZMY100
10
ZMY12
5毫安
40
0
0
18309
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
10 11 12 13 14 15
V
18311
0
50
100
V
Z
150
200
V
图6.击穿特性
图8.击穿特性
mA
60
50
I
Z
40
30
20
10毫安
测试电流l
Z
25毫安
ZMY ...
ZMY15
ZMY18
ZMY22
ZMY27
ZMY33
ZMY39
ZMY47
T
j
= 25 °C
10
0
0
18310
5
10
15
20
25
30
V
Z
35
40
45 50
V
图7.击穿特性
www.vishay.com
4
文档编号85788
修订版1.7 ， 07 - 8 - 06
ZMY3V9到ZMY100
威世半导体
MELF玻璃封装尺寸以毫米（英寸） ： DO41
阴极鉴定
18317
文档编号85788
修订版1.7 ， 07 - 8 - 06
www.vishay.com
5
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
对于stablilizing使用和削波电路
高额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更小的电压容
元代可根据要求提供。
这些二极管也可在DO- 41的情况下可
同类型指定ZPY1 ... ZPY100 。
18315
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 135毫克
包装代码/选项：
GS18 / 5K，每13 "卷轴（12毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 1.5 7 "卷轴（12毫米磁带） ， 12 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.0
1)
W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境温度（最大）
热阻结到
情况下（典型值）
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
R
thJC
T
j
T
S
价值
170
1)
60
175
- 55 + 175
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
1
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压（ 2）
动态电阻
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
VZ
@ I
ZT
10
-4
/°C
典型值
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
250
4
4
4
2
1
1
1
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
25
30
35
40
45
50
60
65
70
80
120
130
150
民
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
9
最大
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
82
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
6.4
TEST
当前
I
ZT
mA
反向
电压
V
R
@
I
R
= 0.5
A
V
可受理
齐纳
电流（ 1）
I
Z
@
T
AMB
=25°C
mA
V
Z
@ I
ZT
V
民
ZMY3V9
ZMY4V3
ZMY4V7
ZMY5V1
ZMY5V6
ZMY6V2
ZMY6V8
ZMY7V5
ZMY8V2
ZMY9V1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
1)
2)
r
zj
@ I
ZT
中，f = 1千赫
最大
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
有效的条件是电极被保持在环境温度
测试了脉冲吨
p
= 5毫秒
该ZMY1是向前direction.Hence经营的硅二极管，所有的特征和最大额定值的指数应该是"F"instead
的"Z" 。阴极端子连接至所述负极。在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但相同的功率显示设备
sipation看到类型ZMU100 ... ZMU180
www.vishay.com
2
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
18312
18289
图1.动态电阻与齐纳电流
图4.容许功耗与环境温度
18313
18286
图2.动态电阻与齐纳电流
图5.脉冲热电阻与脉冲宽度
ZMY100
ZMY82
ZMY68
ZMY56
ZMY43
18314
图3.动态电阻与齐纳电流
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
3
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
18309
图6.击穿特性
18310
图7.击穿特性
www.vishay.com
4
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
18311
图8.击穿特性
单位：mm包装尺寸（英寸）
4.00 (0.157)
最大
ISO方法E
阴极标记
2.6 (0.102)
2.4 (0.094)
1.25
(0.049)
民
3.00 (0.118)
民
0.55 (0.022)
5.2 (0.205)
4.8 (0.189)
6.50 (0.256)
REF
18317
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
5
ZMY3V9到ZMY100
www.vishay.com
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
对于stablilizing使用和削波电路
高功率等级
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。较小的电压
公差可根据要求提供
这些二极管也可在DO- 41可用
案件的类型名称ZPY3V9到ZPY100
AEC- Q101标准
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
3.9至100
5-100
脉冲电流
单身
单位
V
mA
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
订购信息
设备名称
ZMY3V9到ZMY100
ZMY3V9到ZMY100
订购代码
ZMY3V9到ZMY100系列- GS18
ZMY3V9到ZMY100系列- GS08
每卷胶带单位
5 000（上13"轮12毫米磁带）
1 500 （上7"轮12毫米磁带）
最小起订量
10 000 /盒
12000个/箱
包
包名称
MELF DO- 213AB （玻璃）
重量
135毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结到环境的情况下
结温，最大
存储温度范围
测试条件
有效的条件是电极被保持在
环境温度
请参阅表“特色”
有效的条件是电极被保持在
环境温度
R
thJA
R
thJC
T
j
T
英镑
170
60
175
- 55 + 175
K / W
K / W
°C
°C
符号
P
合计
价值
1000
单位
mW
修订版1.9 ， 06日-12月11
文档编号： 85788
1
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ZMY3V9到ZMY100
www.vishay.com
威世半导体
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
典型值。
4
4
4
2
1
1
1
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
25
30
35
40
45
50
60
65
70
80
120
130
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
可受理
齐纳
当前
(1)
I
Z
mA
分钟。
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
马克斯。
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(2)
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。
ZMY3V9
ZMY4V3
ZMY4V7
ZMY5V1
ZMY5V6
ZMY6V2
ZMY6V8
ZMY7V5
ZMY8V2
ZMY9V1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
喃。马克斯。
3.9
4.1
4.3
4.6
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
TEST
当前
I
ZT1
mA
V
反向
电压
V
R
在我
R
μA
笔记
(1)
有效的条件是电极被保持在环境温度
(2)
测试了脉冲T = 5毫秒
p
修订版1.9 ， 06日-12月11
文档编号： 85788
2
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ZMY3V9到ZMY100
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
Ω
10
3
5
4
3
2
威世半导体
ZMY ...
W
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
ZMY ...
r
zj
10
2
ZMY5.1
5
4
3
2
P
合计
ZMY4.3
ZMY18
ZMY12
10
5
4
3
2
ZMY6.2
ZMY10
ZMY7.5
2
3 4 5
7
1
1
18312
2
0
0
19969
3 4 5 7
10
百毫安
100
T
AMB
200 °C
I
Z
图。 1 -
动态电阻与齐纳电流
图。 4 -
受理的功耗与环境温度
Ω
100
7
5
4
3
2
ZMY ...
° C / W
10
3
5
4
3
2
ZMY ...
r
zj
r
THA
ZMY43
10
2
5
4
3
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
=0
-4
10
7
5
4
3
2
ZMY36
ZMY30
ZMY24
ZMY22
10
5
4
3
2
ZMY18
t
P
v
=
T
P
___
t
T
P
I
1
1
1
18313
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
18286
10
-5
10
10
-3
10
-2
10
-1
t
P
1
10 s
I
Z
图。 2 -
动态电阻与齐纳电流
图。 5 -
脉冲热电阻与脉冲宽度
Ω
10
3
7
5
4
3
2
ZMY ...
mA
240
200
I
Z
ZMY100
ZMY82
ZMY68
ZMY56
ZMY43
160
120
百毫安
80
50毫安
测试电流l
Z
ZMY3.9 ZMY4.7
ZMY5.6
ZMY6.8
ZMY8.2
ZMY10
ZMY ...
T
j
= 25 °C
r
zj
10
2
7
5
4
3
2
ZMY12
40
0
2
3 4 5
10
0.1
18314
1
2
3 4 5
10毫安
18309
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
10 11 12 13 14 15
V
I
Z
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
击穿特性
修订版1.9 ， 06日-12月11
文档编号： 85788
3
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ZMY3V9到ZMY100
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威世半导体
mA
20
ZMY56
mA
60
50
I
Z
40
30
20
10毫安
测试电流l
Z
25毫安
ZMY ...
ZMY15
ZMY18
ZMY22
ZMY27
ZMY33
ZMY39
ZMY47
T
j
= 25 °C
ZMY ...
TJ = 25 C
I
Z
测试电流l
Z
10毫安
ZMY68
ZMY82
ZMY100
10
5毫安
10
0
0
18310
0
5
10
15
20
25
30
V
Z
35
40
45 50
V
18311
0
50
100
150
V
Z
200
V
图。 7 -
击穿特性
图。 8 -
击穿特性
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MELF DO- 213AB （玻璃）
2.6 (0.102)
阴极鉴定
2.4 (0.094)
0.55 (0.022)
5.2 (0.205)
4.8 (0.189)
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
1.25 (0.049)
分钟。
4.00 (0.157)
马克斯。
3.00 (0.118)
6.50 (0.256)
18317
REF 。
修订版1.9 ， 06日-12月11
文档编号： 85788
4
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分钟。
法律免责声明
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日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
对于stablilizing使用和削波电路
高额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更小的电压容
元代可根据要求提供。
这些二极管也可在DO- 41的情况下可
同类型指定ZPY1 ... ZPY100 。
18315
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 135毫克
包装代码/选项：
GS18 / 5K，每13 "卷轴（12毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 1.5 7 "卷轴（12毫米磁带） ， 12 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.0
1)
W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境温度（最大）
热阻结到
情况下（典型值）
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
R
thJC
T
j
T
S
价值
170
1)
60
175
- 55 + 175
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
1
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压（ 2）
动态电阻
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
VZ
@ I
ZT
10
-4
/°C
典型值
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
250
4
4
4
2
1
1
1
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
25
30
35
40
45
50
60
65
70
80
120
130
150
民
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
9
最大
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
82
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
6.4
TEST
当前
I
ZT
mA
反向
电压
V
R
@
I
R
= 0.5
A
V
可受理
齐纳
电流（ 1）
I
Z
@
T
AMB
=25°C
mA
V
Z
@ I
ZT
V
民
ZMY3V9
ZMY4V3
ZMY4V7
ZMY5V1
ZMY5V6
ZMY6V2
ZMY6V8
ZMY7V5
ZMY8V2
ZMY9V1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
1)
2)
r
zj
@ I
ZT
中，f = 1千赫
最大
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
有效的条件是电极被保持在环境温度
测试了脉冲吨
p
= 5毫秒
该ZMY1是向前direction.Hence经营的硅二极管，所有的特征和最大额定值的指数应该是"F"instead
的"Z" 。阴极端子连接至所述负极。在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但相同的功率显示设备
sipation看到类型ZMU100 ... ZMU180
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ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
18312
18289
图1.动态电阻与齐纳电流
图4.容许功耗与环境温度
18313
18286
图2.动态电阻与齐纳电流
图5.脉冲热电阻与脉冲宽度
ZMY100
ZMY82
ZMY68
ZMY56
ZMY43
18314
图3.动态电阻与齐纳电流
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18309
图6.击穿特性
18310
图7.击穿特性
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威世半导体
18311
图8.击穿特性
单位：mm包装尺寸（英寸）
4.00 (0.157)
最大
ISO方法E
阴极标记
2.6 (0.102)
2.4 (0.094)
1.25
(0.049)
民
3.00 (0.118)
民
0.55 (0.022)
5.2 (0.205)
4.8 (0.189)
6.50 (0.256)
REF
18317
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