ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
对于stablilizing使用和削波电路
高额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更小的电压容
元代可根据要求提供。
这些二极管也可在DO- 41的情况下可
同类型指定ZPY1 ... ZPY100 。
18315
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 135毫克
包装代码/选项：
GS18 / 5K，每13 "卷轴（12毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 1.5 7 "卷轴（12毫米磁带） ， 12 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.0
1)
W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境温度（最大）
热阻结到
情况下（典型值）
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
R
thJC
T
j
T
S
价值
170
1)
60
175
- 55 + 175
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
1
