CYDM064B16 ， CYDM128B16 ， CYDM256B16
开关特性的V
CC
= 1.8V
在整个工作范围
[23]
（续）
CYDM256B16 ， CYDM128B16 ， CYDM064B16
参数
写周期
t
WC
t
SCE[24]
t
AW
t
HA
t
SA[24]
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE [26 ， 27 ]
t
LZWE [26 ， 27 ]
t
WDD[28]
t
DDD[28]
忙碌计时
[29]
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS[30]
t
WB
t
WH
t
BDD[31]
中断时序
[29]
t
插件
t
INR
SEMAPHORE时序
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
t
SAA
INT设置时间
INT复位时间
写周期时间
描述
民
55
45
45
0
0
40
30
0
-55
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
ns
ns
80
80
ns
ns
CE低到写结束
地址有效到写结束
从写端地址保持
地址设置为Write开始
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
0
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
BUSY （从）后R / W高
R / W高忙后高（从）
繁忙的到数据有效
5
0
35
45
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
40
ns
45
45
15
10
10
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SEM标志更新脉冲（ OE或SEM ）
SEM标志写阅读时间
SEM国旗竞争窗口
SEM地址访问时间
笔记
28.有关端口到端口延迟通过RAM单元的信息写入端口读取端口，请参阅读时序与波形忙。
29.使用测试条件负载2 。
30.添加2ns的这个参数，如果V
CC
和V
DDIOR
是<1.8V和V
DDIOL
是>2.5V在温度<0 ℃。
31. t
BDD
是一个计算出的参数和为t的较大
WDD
– t
PWE
（实际的）或T
DDD
– t
SD
（实际的） 。
文件编号： 001-00217修订版* F
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