CYDM064B16 ， CYDM128B16 ， CYDM256B16
1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8的MoBL
双口静态RAM
特点
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真正的双端口存储器单元，允许同时访问
相同的内存位置
4 ， 8或16K ×16组织
超低运行功率
主动： ICC = 15 mA（典型值），在55纳秒
待机：我
SB3
= 2
μA
（典型值）
占地面积小：可在一个6×6毫米100引脚无铅VFBGA
端口独立的1.8V ， 2.5V ， 3.0V和的IO
全异步操作
自动断电
引脚选择主机或从机
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可扩展数据总线为32位，主机或从机片选
使用多个设备时
芯片上的仲裁逻辑
信号灯包括允许软件握手
端口之间
输入读取寄存器和输出驱动寄存器
INT标志的端口到端口的通信
单独的上层字节和低字节控制
工业温度范围
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选择指南V
CC
= 1.8V
参数
端口的IO电压（ P1-P2 ）
最大访问时间
典型工作电流
典型待机电流为我
SB1
典型待机电流为我
SB3
CYDM256B16 ， CYDM128B16 ， CYDM064B16
(-55)
1.8V -1.8V
55
15
2
2
单位
V
ns
mA
μA
μA
选择指南V
CC
= 2.5V
参数
端口的IO电压（ P1-P2 ）
最大访问时间
典型工作电流
典型待机电流为我
SB1
典型待机电流为我
SB3
CYDM256B16 ， CYDM128B16 ， CYDM064B16
(-55)
2.5V-2.5V
55
28
6
4
单位
V
ns
mA
μA
μA
选择指南V
CC
= 3.0V
参数
端口的IO电压（ P1-P2 ）
最大访问时间
典型工作电流
典型待机电流为我
SB1
典型待机电流为我
SB3
CYDM256B16 ， CYDM128B16 ， CYDM064B16
(-55)
3.0V-3.0V
55
42
7
6
单位
V
ns
mA
μA
μA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-00217修订版* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年7月31日
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