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IS61WV12816DALL / DALS ， IS61WV12816DBLL / DBLS ，
IS64WV12816DBLL/DBLS
AC波形
写周期NO 。 3
（我们控制。
OE
为低电平时写周期）
(1)
t
WC
地址
有效的地址
1
2
t
HA
OE
CE
低
低
t
AW
t
PWE2
WE
3
t
LZWE
t
SA
UB ， LB
t
PBW
t
HZWE
D
OUT
数据中，未定义
高-Z
4
5
UB_CEWR3.eps
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
6
写周期NO 。 4
（磅，
UB
控制，后端到回写）
(1,3)
t
WC
地址
地址1
7
8
t
HA
t
WC
地址2
OE
t
SA
CE
低
WE
t
HA
t
SA
t
PBW
t
PBW
WORD 2
9
10
UB_CEWR4.eps
UB ， LB
WORD 1
t
HZWE
D
OUT
高-Z
t
LZWE
t
HD
数据
IN
有效
数据中，未定义
t
SD
D
IN
t
SD
数据
IN
有效
t
HD
11
12
注意事项：
1.内部写入时间是由重叠定义
CE
= LOW ，
UB
和/或
LB
=低，
WE
=低。所有信号都必须在有效
各国开始写，但任何可以拉高终止写入。该
t
SA
,
t
HA
,
t
SD
和
t
HD
定时是参照
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
2.与测试
OE
高的前最少4纳秒
WE
= LOW放置在I / O处于高阻抗状态。
3.
WE
可以在多个地址周期和低电平保持
LB ， UB
引脚可以用来控制写入功能。
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版本C
05/01/08
15
