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IS61WV12816DALL / DALS ， IS61WV12816DBLL / DBLS ，
IS64WV12816DBLL/DBLS
AC波形
写周期NO 。 1
（ CE控制，
OE
是高还是低）
(1 )
t
WC
地址
有效的地址
t
SA
CE
t
SCE
t
HA
WE
t
AW
t
PWE1
t
PWE2
t
PBW
UB ， LB
t
HZWE
D
OUT
数据中，未定义
高-Z
t
LZWE
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
UB_CEWR1.eps
注意事项：
1.写是低状态的重叠时内部产生的信号断言
CE
和
WE
输入端和至少一个
该
LB
和
UB
投入低状态之中。
2.写= （ CE）
[
（LB） = （UB）
]
（WE） 。
写周期NO 。 2
（我们控制。
OE
是高在写周期）
(1,2)
t
WC
地址
有效的地址
t
HA
OE
CE
低
t
AW
t
PWE1
WE
t
SA
UB ， LB
t
PBW
t
HZWE
D
OUT
数据中，未定义
高-Z
t
LZWE
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
UB_CEWR2.eps
14
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
版本C
05/01/08
