初步
CY14B101Q1
CY14B101Q2
CY14B101Q3
数据保留和耐力
参数
数据
R
NV
C
数据保留
非易失性存储操作
描述
民
20
200
单位
岁月
K
电容
参数
[6]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出引脚电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC
（典型值）
最大
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
[6]
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
16-SOIC
待定
待定
8-DFN
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
图20.交流测试负载和波形
3.0V
产量
30 pF的
577Ω
R1
R2
789Ω
577Ω
3.0V
产量
5 pF的
R2
789Ω
R1
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... 0V到3V
输入上升和下降时间（ 10 ％ - 90 ％ ） ....................... <3 NS
输入和输出时序参考电平1.5V .....................
记
6.这些参数由设计保证，未经测试。
文件编号： 001-50091修订版* B
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