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LTM9001-Ax/LTM9001-Bx
该
l
表示该应用在整个工作温度下的特定连接的阳离子
范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 （注4 ）
符号
CMOS输出模式
t
D
t
C
t
SKEW
ENC数据延迟
ENC到CLKOUT延迟
DATA为CLKOUT倾斜
数据延迟
（注7 ）
（注7 ）
(t
C
– t
D
） （注7 ）
全速率CMOS
解复用
l
l
l
时序特性
参数
条件
民
1.3
1.3
典型值
2.7
2.7
4.3
7
7
最大
4
4
10
单位
ns
ns
ns
周期
周期
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
所有电压值都是相对于地与GND和OGND
连接到一起（除非另有说明） 。
注3 ：
增益从测
+
/ IN
–
通过ADC 。该扩增fi er
增益由滤波器衰减（见典型性能特征
部分“IF频率响应”）。
注4 ：
V
CC
= V
DD
= 3.3V ，女
样品
=最大采样频率， LVDS
输出差分ENC
+
/ ENC
–
= 2V
P-P
用1.6V的共模输入
范围= -1dBFS与PGA = 0差分驱动器， AC耦合输入，
除非另有说明。
注5 ：
积分非线性德网络定义为一个代码的偏差
“最佳科幻吨直线”来传递曲线。偏差测量
从量化频带的中心。
注6 ：
偏移误差是在IN之间施加的电压
+
而在
–
引脚
使0000 0000 0000 0000之间的输出代码佛罗里达州icker需要
和1111 1111 1111 1111 。
注7 ：
通过设计保证，不受测试。
注8 ：
推荐工作条件。
时序图
LVDS输出模式时序
所有输出都差，具有LVDS电平
t
AP
类似物
输入
N+1
N+2
N+3
N+4
N
t
H
t
L
ENC
–
ENC
+
t
D
D0 - D15 ，的
t
C
N–7
N–6
N–5
N–4
N–3
CLKOUT
+
CLKOUT
–
9001 TD01
9001fb
7
